SPW47N60C3FKSA1
2025-10-23 10:13:08
摘要：SPW47N60C3FKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，属于其 CoolMOS™ C3 系列产品。该系列以高击穿电压、低导通损耗和优异的开关特性著称，广泛应用于高效率电源、PFC 电路、逆变器及工业驱动等场景。
描述
SPW47N60C3FKSA1 采用 TO-247 封装，具备出色的散热性能和高电流承载能力。该器件基于英飞凌 CoolMOS™ 技术，能在高压条件下保持低导通电阻与低能量损耗，从而提升整体系统效率并降低温升。其优化的栅极设计确保快速开关速度，同时减少电磁干扰（EMI）。
产品概述
| 产品型号 | SPW47N60C3FKSA1 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 N 通道 650 V 47A（Tc） 415W（Tc） PG-TO247-3-1 |
| 包装类型 | 管件 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 基本产品编号 | SPW47N60 |
产品图片
SPW47N60C3FKSA1产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 47A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 2.7mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 320 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6800 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 415W（Tc） |
主要特点
采用 CoolMOS™ C3 技术，具备高效率与低损耗特性
高耐压设计，适用于高功率应用
优化的开关性能与低电磁干扰
可靠的热性能与高电流承载能力
适合高频、高效率电源系统
典型应用
开关电源（SMPS）和服务器电源
电源因数校正（PFC）电路
工业电机驱动与逆变器
UPS 不间断电源系统
照明镇流器与太阳能逆变系统
引脚图及功能
工作原理
SPW47N60C3FKSA1 作为 N 沟道增强型 MOSFET，通过栅极电压控制导通与关断。当栅极电压高于阈值时，电子在沟道中形成导电通路，实现电流传输；当栅极电压移除时，沟道关闭，电流被阻断。其高压耐受特性与低损耗设计，使器件在高频、高效率功率转换场合中表现出优异的能量转换效率与稳定性。
替代型号
SPW55N60C3、STW40N60M2、IPW60R045C7、IRFP460