IRLML6401TRPBF
2025-10-23 10:33:43
摘要：IRLML6401TRPBF 是英飞凌（Infineon Technologies，原国际整流器 IR）推出的一款 P 沟道功率 MOSFET，专为低电压、高效率的功率管理应用设计。该器件以低导通电阻、高开关速度和紧凑封装著称，广泛应用于负载开关、电源管理、电池保护及便携式电子设备中。
描述
IRLML6401TRPBF 采用 SOT-23 小型封装，适用于空间受限的便携设备。该器件为 P 沟道增强型 MOSFET，可在较低栅极电压下导通，特别适合 2.5V 至 4.5V 系统的负载控制。其设计优化了导通损耗与开关速度之间的平衡，确保在高效率电源电路中保持低热量与稳定性能。
产品概述
| 产品型号 | IRLML6401TRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 12 V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3™/SOT-23 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
产品图片
IRLML6401TRPBF产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 830 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
主要特点
P 沟道增强型 MOSFET，适用于低压功率管理
低导通损耗与高开关效率
支持逻辑电平驱动，兼容低压控制系统
高可靠性与热稳定性能
小封装设计，适合高密度电路板布局
典型应用
电池供电设备的负载开关
DC-DC 转换器与电源管理模块
便携式电子产品（如手机、平板）
电源分配与反向极性保护电路
工业与消费电子控制电路
引脚图及功能
工作原理
IRLML6401TRPBF 作为 P 沟道增强型 MOSFET，当栅极电压低于源极电压时（栅源电压为负值），沟道被开启，电流从源极流向漏极，实现负载通断控制。当栅极电压接近源极电压时，沟道关闭，电流被阻断。由于其可由逻辑电平直接驱动，常用于低压系统中的高边开关，实现对电源路径的快速控制与保护。
替代型号
SI2301、AO3401A、PMV65XP、IRLML6402、DMG2305UX