BFG425W
摘要：BFG425W 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技） 推出的一款 NPN 型高频低噪声晶体管（RF Low Noise Transistor），专为射频（RF）和中频（IF）放大电路设计。 该器件具有高增益、低噪声和高频特性，适用于移动通信、无线接收机、低噪声放大器（LNA）及射频信号放大应用。
描述
BFG425W 采用先进的 硅双极工艺（Si Bipolar Technology） 制造，具有出色的高频性能和线性度。
它以小信号放大为主要用途，尤其在 VHF（甚高频）、UHF（超高频）及微波频段表现优异。
器件采用 SOT-343（SC-70）封装，体积小、热性能优异，适合高密度表面贴装电路设计。
产品概述
| 产品型号 | BFG425W |
| 制造商 | EVVO |
| 分类 | 分立半导体产品，二极管，双极（BJT） |
| 描述 | RF 晶体管 NPN 4.5V 30mA 25GHz 135mW 表面贴装型 SOT-343R |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
产品图片
BFG425W产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集射极击穿（最大值） | 4.5V |
| 频率 - 跃迁 | 25GHz |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| 增益 | 20dB |
| 功率 - 最大值 | 135mW |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 25mA，2V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 30mA |
主要特点
NPN 型高频低噪声晶体管结构
具备高增益与低噪声特性
适用于宽频带射频与中频放大
高频性能优异，线性度高
小封装尺寸，适合高密度设计
低功耗运行，热稳定性好
支持表面贴装（SMD）生产工艺
可靠性高，适用于长期工业与通信使用
典型应用
低噪声放大器（LNA）
射频信号前端放大电路
移动通信接收模块（GSM、GPS、RFID）
无线局域网（WLAN）和蓝牙设备
射频测试与测量设备
中频/高频信号驱动与预放大电路
引脚图及功能
工作原理
BFG425W 的工作原理基于 NPN 双极型晶体管结构：
当基极（B）接收到小信号输入时，放大后的电流信号通过集电极（C）输出；
晶体管在射频频段中工作时，其结电容与寄生参数经过优化设计，可在高频下保持稳定的放大特性；
通过合适的偏置电路，可在低噪声区域实现高线性度的小信号放大，满足通信系统对信号纯度和灵敏度的要求。
替代型号
具有相似功能或兼容型号包括：
BFG425W E6327（同系列版本）
BFR93A / BFR94A（Infineon 高频替代型号）
2N5179 / MMBT3904（低频兼容替代）
BFU520W / BFP420（高性能 RF 替代型号）