FDN338P
2025-11-17 15:52:05
摘要：FDN338P 是由 Fairchild Semiconductor（现安森美 ON Semiconductor） 推出的 P 通道 MOSFET，具有低导通电阻、快速开关特性和小体积封装等优势，适用于便携式设备电源管理、负载开关与电池保护等应用。其 SOT-23 小封装使其非常适合集成度高、空间受限的电路方案。
描述
FDN338P 为一款 −20V、−2.9A 的 P 沟道增强型 MOSFET，采用先进的 PowerTrench® 工艺，具备极低 R<sub>DS(on)</sub> 与优良的开关性能，在低压、小电流场合表现出色。常用于电源路径控制、DC-DC 转换器以及手持类电子产品的负载管理。
产品概述
| 产品型号 | FDN338P |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 20 V 1.6A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 基本产品编号 | FDN338 |
产品图片
FDN338P产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 115 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 451 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
主要特点
P-Channel MOSFET（增强型）
低 R<sub>DS(on)</sub>，提升效率、降低损耗
快速开关速度，适合高频应用
SOT-23 小型封装，适用于空间受限设计
兼容逻辑电平驱动（可直接由 MCU 驱动）
典型应用
便携式电子产品
电源管理负载开关
电池供电设备
DC-DC 转换器
反向电流保护、切换电路
引脚图及功能
替代型号
以下为电气参数接近且封装一致的可替代型号：
AO3407A（P-Channel，−30V）
SI2301CDS / SI2301
IRLML6401
CJ3401（长电）
TP3401
替代时需核对 RDS(on)、Id、Vds 等关键参数。