IRF3205
摘要：IRF3205 是一款 高性能N沟道功率MOSFET，以其 超低导通电阻 和 大电流承载能力 著称，广泛应用于 大功率开关电路、电机驱动、电源转换 等场景。
描述
IRF3205 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 International Rectifier（现为 Infineon Technologies 英飞凌）推出，专为低压、大电流、高效率应用设计。其典型耐压为 55V，连续漏极电流高达 110A，导通电阻非常低，仅约 8mΩ，广泛应用于电池保护、电动车控制、电机驱动、大功率 LED 驱动、电源转换器等场合。
产品概述
| 产品型号 | IRF3205 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，MOSFET |
| 描述 | 采用 TO-220 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET |
| 包装类型 | 管件 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| 基本产品编号 | IRF3205 |
产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 62A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 146 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3247 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
| RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| REACH 状态 | 不受 REACH影响 |
特征
适用于宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
符合 JEDEC 标准的产品认证
针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
行业标准通孔功率封装
高额定电流
优势
增强坚固性
分销合作伙伴广泛供应
行业标准资质
低频应用中的高性能
标准引脚排列允许直接替换
高电流能力
应用领域
大功率直流电机驱动（例如电动车、电动工具）
锂电池组保护与放电管理
UPS 和逆变器输出开关
高频 DC-DC 电源转换器
MOS 管电子开关与控制系统
大电流 PWM 控制模块
船舶电力系统、车载电源管理
引脚图及功能
G：Gate（栅极）
D：Drain（漏极）
S：Source（源极）
封装与散热建议
封装类型：TO-220AB
描述：常见三引脚穿孔式功率封装
散热建议：推荐使用铝散热片并涂抹导热硅脂，确保结温低于 125°C
替代型号
| 型号 | 比较说明 |
| IRLZ44N | 逻辑电平 MOSFET，适合3.3V直接驱动 |
| FQP47P06 | P沟道型号，可与 IRF3205 配对用于全桥 |
| STP75NF75 | ST 公司大电流兼容型号 |
| AUIRF3205 | 汽车级版本，通过 AEC-Q101 认证 |
产品制造商介绍
Infineon Technologies AG（中文名：英飞凌科技股份公司）是全球领先的半导体解决方案提供商，总部位于德国慕尼黑。公司成立于1999年，由西门子集团拆分而来，现为法兰克福证券交易所上市公司，股票代码为 IFX。
英飞凌以提供高效、安全、智能的半导体技术而闻名，特别在汽车电子、功率半导体、安全芯片和工业控制等领域处于全球领先地位。