AOSS32334C
2025-07-07 15:38:34
摘要：AOS32334C 是 Alpha & Omega Semiconductor（AOS） 推出的 N沟道增强型功率MOSFET，采用 DFN5x6封装（或类似优化封装），专为 高效率电源转换 设计，适用于 同步整流、DC-DC转换、电机驱动 等高电流应用场景。
AOSS32334C描述
AOSS32334C 是 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的一款 30 V N沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23-3 小封装，具备低导通电阻及低门极电荷特性，适合高速开关和小型电源管理场景。
AOSS32334C概述
| 产品型号 | AOSS32334C |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，MOSFET |
| 描述 | 30V N沟道MOSFET |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT23 |
| 基本产品编号 | AOSS323 |
AOSS32334C产品图片
AOSS32334C产品图片
AOSS32334C规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 6.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
| RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| REACH 状态 | 不受 REACH影响 |
AOSS32334C引脚图及功能
AOSS32334C功能特点
低 R<sub>DS(on)</sub>，高效率：在 4.5 V 栅压下也能提供低至 26 mΩ 的导通阻抗，减少导通损耗。
逻辑电平驱动兼容：适合与 3.3 V/5 V 单片机接口直接配合使用。
低门极电荷 & 快速开关：有助于提升系统开关效率，降低 EMI。
工业级温度范围：–55 °C 至 +150 °C，可靠性高，适合工业控制。
小型封装：SOT-23-3，节省 PCB 面积，适合便携设备应用。
AOSS32334C典型应用
DC–DC 降压/升压转换器
负载或电源开关控制（开关式电源）
单片机或 FPGA 驱动小功率负载（如继电器、电机、LED）
电池管理系统开关、保护
高速 PWM 控制（电机驱动、LED 驱动等）
AOSS32334C设计与替代建议
可从 AOS 官方渠道或常见电子元器件分销商（如 Digi-Key、TME 等）获取。
替代型号建议：需满足 30 V 阈值、7 A 级电流及低门极电荷的特点，可选相同 AOS 30 V SOT-23 系列其他元件（如 AOSS32338C 等）或其他品牌等效型号。