型号起始: | N08L* (28) N08L0* (3) N08L1* (15) N08L6* (10) |
所属品牌: | 不限 NANOAMP(15) ONSEMI(10) AMI(3) |
功能分类: | 不限 静态存储器(28) 内存集成电路(9) 存储(4) 光电二极管(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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N08L083WC2C
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 1024K 】 8 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 1024K 】 8位 |
静态存储器 | |||
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N08L083WC2CT1
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 1024K 】 8 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 1024K 】 8位 |
静态存储器 | |||
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N08L083WC2CT1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 1024K 】 8 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 1024K 】 8位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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N08L1618C2A
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L1618C2AB
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L1618C2AB-70I
中文翻译 品牌: AMI |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA42, BGA-42 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N08L1618C2AB2
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L1618C2AB2-70I
中文翻译 品牌: AMI |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N08L1618C2AB2-85I
中文翻译 品牌: AMI |
Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N08L163WC1C
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L163WC1CT1
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L163WC1CT1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L163WC2A
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L163WC2AB2-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N08L163WC2AB2-85I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N08L163WC2C
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L163WC2CZ1
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L163WC2CZ1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L6182A
中文翻译 品牌: ONSEMI |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L6182AB27I
中文翻译 品牌: ONSEMI |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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N08L6182AB27IT
中文翻译 品牌: ONSEMI |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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N08L6182AB7I
中文翻译 品牌: ONSEMI |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位 |
静态存储器 | ||
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N08L6182AB7IT
中文翻译 品牌: ONSEMI |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位 |
静态存储器 | ||
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N08L63W2A
中文翻译 品牌: ONSEMI |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L63W2AB27I
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 | ||
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N08L63W2AB27IT
中文翻译 品牌: ONSEMI |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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N08L63W2AB7I
中文翻译 品牌: ONSEMI |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 | |||
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N08L63W2AB7IT
中文翻译 品牌: ONSEMI |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 |
静态存储器 |
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