型号起始:N08L* (28) N08L0* (3) N08L1* (15) N08L6* (10)
所属品牌:不限 NANOAMP(15) ONSEMI(10) AMI(3)
功能分类:不限 静态存储器(28) 内存集成电路(9) 存储(4) 光电二极管(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
N08L083WC2C
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 1024K 】 8 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 1024K 】 8位
静态存储器
N08L083WC2CT1
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 1024K 】 8 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 1024K 】 8位
静态存储器
N08L083WC2CT1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 1024K 】 8 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 1024K 】 8位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
N08L1618C2A
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位
静态存储器
N08L1618C2AB
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位
静态存储器
N08L1618C2AB-70I
中文翻译 品牌: AMI
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA42, BGA-42 静态存储器 内存集成电路
N08L1618C2AB2
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位
静态存储器
N08L1618C2AB2-70I
中文翻译 品牌: AMI
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42 静态存储器 内存集成电路
N08L1618C2AB2-85I
中文翻译 品牌: AMI
Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42 静态存储器 内存集成电路
N08L163WC1C
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
N08L163WC1CT1
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
N08L163WC1CT1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
N08L163WC2A
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
N08L163WC2AB2-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 静态存储器 内存集成电路
N08L163WC2AB2-85I
中文翻译 品牌: NANOAMP
Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48 静态存储器 内存集成电路
N08L163WC2C
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
N08L163WC2CZ1
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
N08L163WC2CZ1-55IL
中文翻译 品牌: NANOAMP
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
N08L6182A
中文翻译 品牌: ONSEMI
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位
静态存储器
N08L6182AB27I
中文翻译 品牌: ONSEMI
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位
存储 内存集成电路 静态存储器
N08L6182AB27IT
中文翻译 品牌: ONSEMI
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位
存储 内存集成电路 静态存储器
N08L6182AB7I
中文翻译 品牌: ONSEMI
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位
静态存储器
N08L6182AB7IT
中文翻译 品牌: ONSEMI
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K × 16位
静态存储器
N08L63W2A
中文翻译 品牌: ONSEMI
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
N08L63W2AB27I EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
N08L63W2AB27IT
中文翻译 品牌: ONSEMI
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
存储 内存集成电路 静态存储器
N08L63W2AB7I
中文翻译 品牌: ONSEMI
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
N08L63W2AB7IT
中文翻译 品牌: ONSEMI
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit
8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位
静态存储器
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