型号等于：	BS616LV4010 (1) BS616LV4011 (1) BS616LV4015 (1) BS616LV4016 (1) BS616LV4017 (1) BS616LV4018 (1)
型号起始：	BS616LV401* (173) BS616LV4010* (42) BS616LV4011* (9) BS616LV4015* (9) BS616LV4016* (43) BS616LV4017* (39) BS616LV4018* (31)
所属品牌：	不限 BSI(166) ETC(7)
功能分类：	不限静态存储器(172) 内存集成电路(63) 光电二极管(30) 存储(16)

BS616LV401 - 型号起始; 总记录数：173

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV4017DCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EC55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV4017EC70 中文翻译品牌: BSI	暂无描述
		BS616LV4017ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4017ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4017EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EI55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV4017EI70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV4017EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017_06 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017_08 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018AC 中文翻译品牌: ETC	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4018AC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV4018AC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV4018ACG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器
		BS616LV4018ACG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV4018ACP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV4018ACP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路

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