型号等于：	NE5521 (1)
型号起始：	NE552* (36) NE5520* (12) NE5521* (13) NE552R* (11)
所属品牌：	不限 NEC(14) CEL(8) VISHAY(8) NXP(4) ETC(1) RENESAS(1)
功能分类：	不限放大器(19) 射频(5) 晶体管(12) 晶体(8) 射频场效应晶体管(2) 转换器(4) 位置转换器(2) 调节器(3) 光电二极管(3) CD(1) ISM频段(2) 空调(1)

NE552 - 型号起始 - 射频场效应晶体管; 总记录数：15

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		NE5520279A 中文翻译品牌: NEC	NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NECS 3.2 V， 2 W ， L＆ S波段中功率硅LD- MOSFET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5520279A-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	晶体晶体管放大器
		NE5520279A-T1 中文翻译品牌: NEC	NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NECS 3.2 V， 2 W ， L＆ S波段中功率硅LD- MOSFET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5520279A-T1A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, 79A, 4 PIN
		NE5520379A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器晶体管
		NE5520379A-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器 ISM频段晶体管
		NE5520379A-T1 中文翻译品牌: CEL	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
		NE552R479A-T1 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器晶体管
		NE552R479A-T1 中文翻译品牌: RENESAS	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 79A, 4 PIN	放大器晶体管
		NE552R479A-T1A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器晶体管
		NE552R479A-T1A-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器晶体管
		NE552R679A 中文翻译品牌: NEC	3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.0 V工作电压硅射频功率LD- MOS FET 460 MHz的0.6 W传输放大器	放大器射频
		NE552R679A-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器射频
		NE552R679A-T1 中文翻译品牌: NEC	3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.0 V工作电压硅射频功率LD- MOS FET 460 MHz的0.6 W传输放大器	放大器射频
		NE552R679A-T1A 中文翻译品牌: NEC	3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.0 V工作电压硅射频功率LD- MOS FET 460 MHz的0.6 W传输放大器	放大器射频

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