| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CEB0.6100.151
中文翻译 品牌: SCHURTER |
Mains Power Connector, 2A, 125/250VAC, Male, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT | 连接器 电源连接器 | ||
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CEB002
中文翻译 品牌: EXAR |
EVAL BOARD XR8051 SOT23 | |||
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CEB003
中文翻译 品牌: EXAR |
EVAL BOARD XR8051 SOIC | |||
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CEB018
中文翻译 品牌: EXAR |
EVAL BOARD XR8054 SOIC | |||
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CEB01N6
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB01N65
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB01N6G
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB02N6
中文翻译 品牌: CET |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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CEB02N65B
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 650; @10V : 5000; ID(A) : 2; @10V(typ) : 7.2; Pd(W) : 52; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB02N6A
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB02N6G
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB02N7
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB02N7A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 700; @10V : 6000; ID(A) : 2; @10V(typ) : 8.7; Pd(W) : 54; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB02N7G
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB02N9
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 900; @10V : 6800; ID(A) : 2.6; @10V(typ) : 22; Pd(W) : 125; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB03N100
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 1000; @10V : 6000; ID(A) : 3.3; @10V(typ) : 25; Pd(W) : 166; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB04N6
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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CEB04N65A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 650; @10V : 2800; ID(A) : 4; @10V(typ) : 11; Pd(W) : 96; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB04N65B
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 650; @10V : 2800; ID(A) : 4; @10V(typ) : 10; Pd(W) : 96; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB04N7
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB04N7A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 700; @10V : 3200; ID(A) : 4; @10V(typ) : 11; Pd(W) : 78; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB04N7G
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB04N8
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 800; @10V : 4000; ID(A) : 4; @10V(typ) : 16; Pd(W) : 150; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB05N150
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 1500; @10V : 4500; ID(A) : 5; @10V(typ) : 46; Pd(W) : 278; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB05N65
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB05P03
中文翻译 品牌: ETC |
-30V P Channel MOS
-30V P沟道MOS\n |
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CEB06N5
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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CEB07N120
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 1200; @10V : 2500; ID(A) : 7; @10V(typ) : 58; Pd(W) : 329; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB07N65
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB07N65A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 650; @10V : 1450; ID(A) : 7; @10V(typ) : 28; Pd(W) : 150; Configuration : Single; Polarity : N; |