| 型号等于： | 08051J0R4BBS (2) |
| 型号起始： | 08051J0R4BBS* (2) |
| 所属品牌： | 不限 NXP(1) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
08051J0R4BBS
中文翻译 品牌: NXP |
Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor |
Total:11
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| 型号等于： | 08051J0R4BBS (2) |
| 型号起始： | 08051J0R4BBS* (2) |
| 所属品牌： | 不限 NXP(1) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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08051J0R4BBS
中文翻译 品牌: NXP |
Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor |