品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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08051J0R1BBT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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08051J0R3BBT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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08051J0R4BBT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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08051J0R9BBT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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08051J1R0BBT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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08051J1R2BBT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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08051J3R9BBT
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Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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100A100JP500X
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Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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100A101JP500X
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Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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100A7R5JP150X
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Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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100B101JP500X
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Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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100B102JP500X
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Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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1812SMS--27NJLC
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RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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1812SMS--47NJLC
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RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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1812SMS--82NJ
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RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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1812SMS-47NJLC
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RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 电感器 测试 射频 射频感应器 | |||
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1812SMS-82NJLC
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RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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222212018221
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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2225X7R225KT3AB
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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27271SL
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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27291SL
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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2743021447
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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33937
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Three Phase Field Effect Transistor Pre-driver 三相场效应晶体管前置驱动器 |
晶体 驱动器 晶体管 场效应晶体管 | |||
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33937A
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Three Phase Field Effect Transistor Pre-driver 三相场效应晶体管前置驱动器 |
晶体 驱动器 晶体管 场效应晶体管 | |||
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33937_09
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Three Phase Field Effect Transistor Pre-driver 三相场效应晶体管前置驱动器 |
晶体 驱动器 晶体管 场效应晶体管 | |||
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476KXM050M
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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477KXM063M
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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5093NW20R00J
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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9C12063A10R0FKHFT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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A04T-5
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频 |
FREESCALE是什么品牌:飞思卡尔Freescale是全球半导体行业的领先公司。我们开发嵌入式解决方案的历史可追溯到50多年前的1948年,当时我们还是摩托罗拉旗下的半导体部。在1955年,我们推出了世界上第一款商用的高功率晶体管、一种用于汽车音响的锗晶体管和我们的第一款大批量生产的半导体。从这一现代技术的基础构建模块开始,我们便从未停止过技术上的创造发明。 我们受到了数字市场激动人心的发展形势的驱动,并且还要不断满足客户每天面临的嵌入式挑战性需求。我们是永不放弃的研究机构,每年都会将总收入的20%、相当于8亿美元的资金投资到研发领域。此外,我们所拥有的知识产权包含了多达6,400个专利系列产品。所有这一切都可以证明我们拥有追求创新的巨大激情。NXP已以118亿收购Freescale。