| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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HYG046N04LQ1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG046N04LQ1U
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG046N04LQ1V
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG050N08NS1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HYG050N08NS1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HYG050N10NS1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HYG050N13NS1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HYG053N10NS1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HYG054N09NS1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HYG054N09NS1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型：- 漏源电压(Vdss)：- 连续漏极电流(Id)：- 功率(Pd)：- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：- 栅极电荷(Qg@Vgs)：- 输入电容(Ciss@Vds)：- 反向传输电容(Crss@Vds)：- 工作温度(最小值)：- 工作温度( | 栅 栅极 | |||
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HYG055N08NS1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HYG055N08NS1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HYG060N08NS1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-252-2L; | ||||
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HYG060P04LQ1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 P 沟道、-40V耐压、5.8mΩ内阻、TO-252-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应... | 电池 开关 | |||
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HYG064N08NA1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HYG064N08NA1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为80V、6.4mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。 | 电机 驱动 | |||
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HYG065N07NS1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HYG065N07NS1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-252-2L; | ||||
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HYG065N15NS1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HYG065N15NS1W
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为80V、6.4mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。 | 电机 驱动 | |||
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HYG065P03LQ1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG065P03LQ1U
中文翻译 品牌: HUAYI |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG065P03LQ1V
中文翻译 品牌: HUAYI |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG067N07NQ1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG067N07NQ1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-252-2L; | ||||
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HYG067N07NQ1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG067N07NQ1PS
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG068N08NR1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HYG070N04LA1S
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为40V、6.5mΩ、SOP8L封装产品，采用Trench流片工艺，可满足如锂电池保护板、DC-DC等应用领域 | 电池 | |||
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HYG072N08NR1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：188W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.8mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@ |
HUAYI是什么品牌：华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日，位于西安经济技术开发区草滩生态产业园，占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元，天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东，持有公司88.46%的股权。