| 型号等于： | HY3010 (2) HY3010D (1) HY3010U (1) HY3010V (1) |
| 型号起始： | HY3010* (5) HY3010D* (1) HY3010U* (1) HY3010V* (1) |
| 所属品牌： | 不限 HUAYI(3) ETC(1) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
HY3010
中文翻译 品牌: ETC |
Power Supply Units 电源设备 |
||||
 |
HY3010B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：192W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@ | ||||
|
HY3010D
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
|
HY3010P
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
|
HY3010U
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
|
HY3010V
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Total:61
总6条记录，每页显示30条记录分1页显示。