HUAYI - 型号起始; 总记录数：327

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		HY1906P 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY1906U 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY1906V 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY1908D 中文翻译品牌: HUAYI	此器件为80V、7.0mΩ、TO-252-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。	电机驱动
		HY1908MF 中文翻译品牌: HUAYI	此器件为80V、7.0mΩ、TO-220MF-3L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。	电机驱动
		HY1910D 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY1910U 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY1910V 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY1920P 中文翻译品牌: HUAYI	漏源电压Vdss(V):200V;额定电流Id(A):90A;最大导通阻抗Ron(mΩ):24mΩ 10V,45A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):375W;栅源耐压Vgs(V):4V 250μA;	栅
		HY1920W 中文翻译品牌: HUAYI	类型:N沟道;元器件封装:TO-247A-3L;
		HY19P03B 中文翻译品牌: HUAYI	类型:P沟道;元器件封装:TO-263-2;
		HY19P03D 中文翻译品牌: HUAYI	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY19P03U 中文翻译品牌: HUAYI	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY19P03V 中文翻译品牌: HUAYI	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY2N7002E 中文翻译品牌: HUAYI	此器件为 60V、2.4Ω、SOT23-3L封装产品，采用Trench流片工艺，可满足如LED电源，电池管理系统等应用领域。	电池
		HY3003B 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY3003D 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY3003P 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY3003U 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY3003V 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY3007B 中文翻译品牌: HUAYI	此器件为68V、5.0mΩ、TO-263-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。	电机驱动
		HY3007P 中文翻译品牌: HUAYI	此器件为68V、5.0mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。	电机驱动
		HY3008B 中文翻译品牌: HUAYI	此器件为80V、6.6mΩ、TO-263-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。	电机驱动
		HY3008P 中文翻译品牌: HUAYI	此器件为80V、6.6mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。	电机驱动
		HY3008PM 中文翻译品牌: HUAYI	此器件为80V、6.6mΩ、TO-3PM-3S封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。	电机驱动
		HY3010B 中文翻译品牌: HUAYI	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：192W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@
		HY3010D 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY3010P 中文翻译品牌: HUAYI	类型:N沟道;元器件封装:TO-220FB-3L;
		HY3010U 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
		HY3010V 中文翻译品牌: HUAYI	N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HUAYI是什么品牌：华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日，位于西安经济技术开发区草滩生态产业园，占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元，天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东，持有公司88.46%的股权。

型号等于：	HY1906 (1)
型号起始：	HY029N* (2) HY030N* (2) HY060N* (4) HY1001* (1) HY12P0* (1) HY1303* (1) HY1306* (3) HY1310* (3) HY1403* (3) HY1404* (1) HY1503* (1) HY1504* (3) HY1506* (6) HY15P0* (3) HY1603* (6) HY1605* (3) HY1606* (3) HY1607* (10) HY1710* (9) HY1804* (4) HY1904* (8) HY1906* (7) HY1908* (2) HY1910* (3) HY19P0* (3) HY2N70* (1) HY3003* (5) HY3007* (2) HY3008* (3) HY3010* (3) HY3208* (1)
所属品牌：	不限 HUAYI(257)
功能分类：	不限电机(39) 驱动(39) 电池(33) 开关(18) 光电二极管(9) 电子(2)