品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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HYG025N04NA1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为40V、2.5mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,电池管理系统等应用领域 | 电池 | |||
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HYG025N06LS1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HYG025N06LS1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
元器件封装:TO-252-2L; | ||||
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HYG025N06LS1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HYG025N06LS2B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):145A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@ | ||||
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HYG028N10NS1B6
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-263-6; | ||||
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HYG030N02KQ1C2
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.2mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护等应... | 电池 开关 电机 驱动 光电二极管 | |||
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HYG030N02KQ1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.4mΩ内阻、TO-252-2L封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护等应用领... | 电池 开关 电机 驱动 | |||
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HYG030N03LQ1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-252-2L; | ||||
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HYG032N02KQ1C2
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为25V、2.5mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板等应用领域 | 电池 光电二极管 | |||
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HYG032N03LR1C1
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为30V、3.3mΩ、 DFN3*3-8L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如输出保护等应用领域。 | ||||
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HYG032N08NS1W
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-247A-3L; | ||||
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HYG035N02KA1C2
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.6mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护等应... | 电池 开关 电机 驱动 光电二极管 | |||
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HYG035N04LR1C2
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为40V、2.4mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板、DC-DC、电动工具等应用领域 | 电池 光电二极管 | |||
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HYG035N04LR1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为40V、3.0mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板、DC-DC、电动工具等应用领域 | 电池 | |||
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HYG035N06LS1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-252-2L; | ||||
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HYG035N08NS2P
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HYG035N10NS2B
中文翻译 品牌: HUAYI |
元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HYG037N03LQ1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG037N03LQ1U
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG037N03LQ1V
中文翻译 品牌: HUAYI |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG042N10NS1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
类型:N沟道;元器件封装:TO-263-2L; | ||||
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HYG042N10NS1P
中文翻译 品牌: HUAYI |
元器件封装:TO-220FB-3L; | ||||
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HYG045N03LA1C1
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为30V、3.9mΩ、DFN3*3_8L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足锂电池保护板等应用领域。 | 电池 | |||
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HYG045N03LA1C2
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为30V、3.6mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板等应用领域 | 电池 光电二极管 | |||
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HYG045N03LA1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为30V、3.8mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板等应用领域 | 电池 | |||
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HYG045P03LQ1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG045P03LQ1U
中文翻译 品牌: HUAYI |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG045P03LQ1V
中文翻译 品牌: HUAYI |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||||
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HYG045P06LA1B
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 -60V、3.9mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如防反接,电池管理系统等应用领域。 | 电池 |
HUAYI是什么品牌:华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日,位于西安经济技术开发区草滩生态产业园,占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元,天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东,持有公司88.46%的股权。