| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N7002E
中文翻译 品牌: NXP |
N-channel TrenchMOS FET N沟道FET的TrenchMOS |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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2N7002E
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N−Channel, SOT−23 小信号MOSFET 60 V 310 mA时，单N通道， SOT -23 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2N7002E
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻： RDS （ ON ）低栅极阈值电压低输入电容 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2N7002E
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-523 | ||||
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2N7002E
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2N7002E
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET N通道60 -V （D -S ）的MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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2N7002E
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel Enhanceent Mode Field Effect Transistor N沟道Enhanceent型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2N7002E,215
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
元器件封装:TO-236AB; | |||
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2N7002E-13
中文翻译 品牌: DIODES |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3 | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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2N7002E-13-F
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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2N7002E-7
中文翻译 品牌: DIODES |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3 | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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2N7002E-7-F
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 PC | ||
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2N7002E-7-G
中文翻译 品牌: DIODES |
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2N7002E-H
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : SOT-23; ESD : Yes; BVDSS(V) : 60; ID(A) : 0.3; PD(W) : 0.35; IDSS@VDSS( | 光电二极管 | |||
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2N7002E-T1-E3
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET N沟道60 V （D -S ）的MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 PC | ||
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2N7002E-T1-GE3
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET N沟道60 V （D -S ）的MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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2N7002E8/10K
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 115MA I（ D） | TO- 236AB |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002E9/3K
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 115MA I（ D） | TO- 236AB |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002E9/3K-E3
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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2N7002ED
中文翻译 品牌: ANBON |
SOT-363 | ||||
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2N7002ED-Q1
中文翻译 品牌: ANBON |
SOT-363 | ||||
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2N7002ELT1
中文翻译 品牌: WILLAS |
310 mAmps, 60 Volts 310毫安， 60伏 |
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2N7002EM
中文翻译 品牌: RUILON |
小信号Mos | ||||
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2N7002EM3T5G
中文翻译 品牌: TECHPUBLIC |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):350mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.5Ω 4.5V,200mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):150mW;栅源耐压Vgs(V):1.85V 250uA; | 栅 | |||
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2N7002EN
中文翻译 品牌: ANBON |
DFN1006-3L | ||||
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2N7002EPT
中文翻译 品牌: CHENMKO |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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2N7002EQ
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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2N7002ESEPT
中文翻译 品牌: CHENMKO |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002ESPT
中文翻译 品牌: CHENMKO |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N7002ET
中文翻译 品牌: ANBON |
SOT-523 |