型号等于:2N7002P (4) 2N7002PS (2) 2N7002PT (3) 2N7002PV (1) 2N7002PW (3)
型号起始:2N7002P* (17) 2N7002P,* (1) 2N7002PS* (2) 2N7002PT* (5) 2N7002PV* (1) 2N7002PW* (4)
所属品牌:不限 NXP(6) NEXPERIA(5) CHENMKO(2) DIOTEC(1) SIRECT(1)
功能分类:不限 开关(5) 光电二极管(5) 晶体管(5) 晶体(5) 小信号场效应晶体管(2) PC(2) 场效应晶体管(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2N7002P
中文翻译 品牌: NXP
60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET
60 V , 0.3 A N沟道沟槽MOSFET
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 PC
2N7002P
中文翻译 品牌: NEXPERIA
60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002P,235
中文翻译 品牌: NXP
60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin 开关 光电二极管 晶体管
2N7002P,235 EDA模型
中文翻译 品牌: NEXPERIA
漏源电压Vdss(V):60 V ;额定电流Id(A):360mA(Ta) ;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 欧姆 @ 500mA,10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):0.8 nC 栅极
2N7002PS
中文翻译 品牌: NXP
320mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-88, 6 PIN 晶体 晶体管 开关 光电二极管
2N7002PS
中文翻译 品牌: NEXPERIA
60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET
2N7002PS,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):320mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:2 N-Channel (Dual);栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;栅源耐压Vgs(V):2.4V @ 250µA;最小工作温度(℃):0;最 栅极
2N7002PS/ZLH
中文翻译 品牌: NEXPERIA
元器件封装:6-TSSOP;
2N7002PS/ZLX
中文翻译 品牌: NEXPERIA
元器件封装:6-TSSOP;
2N7002PT
中文翻译 品牌: CHENMKO
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体 晶体管
2N7002PT
中文翻译 品牌: SIRECT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 0.25Amp 60Volt
N沟道增强型场效应晶体管 - 0.25Amp 60Volt
晶体 晶体管 场效应晶体管
2N7002PT
中文翻译 品牌: NEXPERIA
60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002PT,115
中文翻译 品牌: NXP
2N7002PT - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-75 3-Pin
2N7002PTGP
中文翻译 品牌: CHENMKO
Transistor,
2N7002PV
中文翻译 品牌: NEXPERIA
60 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFETProduction
2N7002PW
中文翻译 品牌: NXP
60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET
60 V , 0.3 A N沟道沟槽MOSFET
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 PC
2N7002PW
中文翻译 品牌: NEXPERIA
60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002PW
中文翻译 品牌: DIOTEC
MOSFETs (Field Effect Transistors)
2N7002PW,115
中文翻译 品牌: NXP
2N7002PW - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin 开关 光电二极管 晶体管
2N7002PW,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):310mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):260mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小 栅极
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