型号起始：	VG26S* (28) VG26S1* (28)
所属品牌：	不限 ETC(20) VML(8)
功能分类：	不限内存集成电路(15) 光电二极管(15) 动态存储器(21)

VG26S - 型号起始; 总记录数：28

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		VG26S16405DJ-5 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	动态存储器
		VG26S16405DJ-6 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S16405DT-5 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	动态存储器
		VG26S16405DT-6 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S16405EJ-5 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S16405EJ-6 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S16405ET-5 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	动态存储器
		VG26S16405ET-6 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S17400DJ-5 中文翻译品牌: ETC	DRAM\|FAST PAGE\|4MX4\|CMOS\|SOJ\|26PIN\|PLASTIC DRAM \|快速页\| 4MX4 \| CMOS \| SOJ \| 26PIN \|塑料	动态存储器
		VG26S17400DJ-6 中文翻译品牌: ETC	x4 Fast Page Mode DRAM X4快速页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S17400DT-5 中文翻译品牌: ETC	x4 Fast Page Mode DRAM X4快速页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S17400DT-6 中文翻译品牌: ETC	x4 Fast Page Mode DRAM X4快速页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S17400EJ-5 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26S17400EJ-6 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26S17400FJ-5 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26S17400FJ-6 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26S17405DJ-5 中文翻译品牌: ETC	DRAM\|EDO\|4MX4\|CMOS\|SOJ\|26PIN\|PLASTIC	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S17405DJ-6 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	动态存储器
		VG26S17405DT-5 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S17405DT-6 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S17405EJ-5 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	动态存储器
		VG26S17405EJ-6 中文翻译品牌: ETC	DRAM\|EDO\|4MX4\|CMOS\|SOJ\|26PIN\|PLASTIC	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S17405ET-5 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S17405ET-6 中文翻译品牌: ETC	x4 EDO Page Mode DRAM X4 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S17405J-5 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM
		VG26S17405J-6 中文翻译品牌: VML	4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		VG26S18165CJ-5 中文翻译品牌: VML	1,048,576 x 16 - Bit CMOS Dynamic RAM 1,048,576 ×16 - 位CMOS动态RAM
		VG26S18165CJ-6 中文翻译品牌: VML	1,048,576 x 16 - Bit CMOS Dynamic RAM 1,048,576 ×16 - 位CMOS动态RAM

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