品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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DS1220AD-150-IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
16k Nonvolatile SRAM 16K非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220AD-170
中文翻译 品牌: DALLAS |
64k Nonvolatile SRAM 64K非易失SRAM |
静态存储器 | |||
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DS1220AD-170IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
64k Nonvolatile SRAM 64K非易失SRAM |
静态存储器 | |||
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DS1220AD-200
中文翻译 品牌: DALLAS |
64k Nonvolatile SRAM 64K非易失SRAM |
内存集成电路 静态存储器 | |||
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DS1220AD-200
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, PLASTIC, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220AD-200+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220AD-200-IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
16k Nonvolatile SRAM 16K非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220AD-200IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
64k Nonvolatile SRAM 64K非易失SRAM |
内存集成电路 静态存储器 | |||
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DS1220AD-200IND
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, PLASTIC, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220AD-200IND+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220AD-85
中文翻译 品牌: DALLAS |
64k Nonvolatile SRAM 64K非易失SRAM |
静态存储器 | |||
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DS1220AD-85IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
64k Nonvolatile SRAM 64K非易失SRAM |
静态存储器 | |||
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DS1220AD-IND
中文翻译 品牌: ETC |
NVRAM (Battery Based)
NVRAM (基电池) |
电池 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220Y
中文翻译 品牌: DALLAS |
16k Nonvolatile SRAM 16K非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220Y-100
中文翻译 品牌: DALLAS |
16k Nonvolatile SRAM 16K非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220Y-100+
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-EDIP; | 存储 | ||
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DS1220Y-100-IND
中文翻译 品牌: ETC |
NVRAM (Battery Based)
NVRAM (基电池) |
电池 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220Y-100IND
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH,DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220Y-100IND+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220Y-120
中文翻译 品牌: DALLAS |
16k Nonvolatile SRAM 16K非易失SRAM |
静态存储器 | |||
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DS1220Y-120-IND
中文翻译 品牌: ETC |
NVRAM (Battery Based)
NVRAM (基电池) |
电池 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220Y-150
中文翻译 品牌: DALLAS |
16k Nonvolatile SRAM 16K非易失SRAM |
静态存储器 | |||
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DS1220Y-150+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220Y-150-IND
中文翻译 品牌: ETC |
NVRAM (Battery Based)
NVRAM (基电池) |
电池 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220Y-200
中文翻译 品牌: DALLAS |
16k Nonvolatile SRAM 16K非易失SRAM |
静态存储器 | |||
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DS1220Y-200+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220Y-200-IND
中文翻译 品牌: ETC |
NVRAM (Battery Based)
NVRAM (基电池) |
电池 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220Y-200IND+
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;最大存取时间(ns):200ns;最小工作电压(V):4.5V;最大工作电压(V):5.5V;元器件封装:24-EDIP; | 存储 | ||
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DS1221
中文翻译 品牌: DALLAS |
Nonvolatile Controller x 4 Chip 非易失控制器×4芯片 |
光电二极管 控制器 | |||
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DS1221
中文翻译 品牌: TTELEC |
Platon Metal Tube GMT Screwed VA Flow Meter |