| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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DS1260
中文翻译 品牌: DALLAS |
Smart Battery 智能电池 |
电池 | |||
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DS1260-100
中文翻译 品牌: DALLAS |
Smart Battery 智能电池 |
电池 | |||
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DS1260-25
中文翻译 品牌: DALLAS |
Smart Battery 智能电池 |
电池 | |||
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DS1260-50
中文翻译 品牌: DALLAS |
Smart Battery 智能电池 |
电源电路 电池 电源管理电路 光电二极管 | |||
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DS1262
中文翻译 品牌: ETC |
Nonvolatile Controller
非易失控制器\n |
控制器 | |||
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DS1262S
中文翻译 品牌: ETC |
Nonvolatile Controller
非易失控制器\n |
外围集成电路 光电二极管 动态存储器 控制器 | |||
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DS1264
中文翻译 品牌: ETC |
Nonvolatile Controller
非易失控制器\n |
控制器 | |||
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DS1265
中文翻译 品牌: ETC |
Nonvolatile Controller
非易失控制器\n |
控制器 | |||
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DS1265AB
中文翻译 品牌: ADI |
8M非易失SRAM | 静态存储器 | |||
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DS1265AB
中文翻译 品牌: MAXIM |
8M Nonvolatile SRAM 8M非易失SRAM |
静态存储器 | |||
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DS1265AB-100
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
1MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA36, 0.740 INCH, DIP-36 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1265AB-100+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1265AB-100-IND
中文翻译 品牌: ETC |
NVRAM (Battery Based)
NVRAM （基电池） |
电池 | |||
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DS1265AB-70
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
1MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA36, 0.740 INCH, DIP-36 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1265AB-70-IND
中文翻译 品牌: ETC |
NVRAM (Battery Based)
NVRAM （基电池） |
电池 | |||
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DS1265AB-70IND
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1265AB-70IND+
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
1MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1265AB-70IND+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1265W
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM |
静态存储器 | |||
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DS1265W
中文翻译 品牌: MAXIM |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM | 静态存储器 | |||
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DS1265W-100
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1265W-100
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):8Mb（1M x 8）;内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;元器件封装:36-EDIP; | 存储 | ||
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DS1265W-100+
中文翻译 品牌: MAXIM |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1265W-100-IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1265W-100IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM | 静态存储器 | |||
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DS1265W-100IND
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):8Mb（1M x 8）;内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;最大存取时间(ns）:100ns;最小工作电压(V):3V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:36-EDIP; | 存储 | ||
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DS1265W-100IND+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1265W-150
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1265W-150
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):8Mb（1M x 8）;内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;元器件封装:36-EDIP; | 存储 | ||
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DS1265W-150-IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 |