齐纳二极管
| 图片 | 型号 | 文档 | 类别 | 描述 | 品牌 | 供应商 | |
| 015AZ2.4-Z |  |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ2.7-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ2.7-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ20 | |
齐纳二极管 | DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ20-Z | |
齐纳二极管 | DIODE 20.68 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ22 | |
齐纳二极管 | DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ22-X | |
齐纳二极管 | DIODE 21.34 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ22-Y | |
齐纳二极管 | DIODE 22.02 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ22-Z | |
齐纳二极管 | DIODE 22.73 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ24 | |
齐纳二极管 | Constant-Voltage Regulation Applications 恒定电压调节应用 |
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| 015AZ24-X | |
齐纳二极管 | DIODE 23.455 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ24-Y | |
齐纳二极管 | DIODE 24.265 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ24-Z | |
齐纳二极管 | DIODE 25.01 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ3.0-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ3.0-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ3.3 | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ3.3-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ3.3-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ3.6 | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ3.6-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ3.6-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ3.9 | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ3.9-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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015AZ3.9-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ4.3 | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ4.3-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ4.3-X(TH3FT) | |
齐纳二极管 | Zener Diode | |
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| 015AZ4.3-Y | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ4.3-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ4.7 | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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什么是齐纳二极管
- 齐纳二极管（Zener diode），也被称为稳压二极管，是一种广泛应用于电子设备和系统中的半导体器件，它具有单向导电性和响应速度快等特点，在各种高速电路、低噪声放大器和功率调制器等领域得到了广泛应用。
齐纳二极管的工作原理主要基于PN结的反向击穿特性。在PN结中，当反向电压增加到一定值时，会发生反向击穿现象，此时反向电阻骤然降低，电流急剧增加，但电压基本保持不变。齐纳二极管正是利用这一特性，通过精确控制反向击穿电压，实现稳定的电压输出。
具体来说，当齐纳二极管处于反向偏置状态时，PN结中的电场方向由N区指向P区。随着反向电压的增加，PN结中的电场强度逐渐增强，导致空间电荷区中的电子和空穴被加速并撞击原子，产生新的电子和空穴。这些新产生的电子和空穴又会进一步撞击原子，形成连锁反应，即雪崩倍增效应。当反向电压增加到一定程度时，雪崩倍增效应会导致反向电流急剧增加，PN结发生反向击穿。此时，尽管电流在很大范围内变化，但齐纳二极管两端的电压却基本稳定在反向击穿电压附近，从而实现稳压功能。