美光揭秘“尖端”HBM4E工艺蓝图，预计2026年HBM4步入量产阶段

近日，全球领先的半导体存储解决方案提供商美光(Micron)宣布了其下一代HBM4和HBM4E工艺的最新进展，并计划在2026年开始量产HBM4。这一消息标志着美光在高性能存储技术领域的又一次重大突破，将极大提升人工智能(AI)的计算能力。

在最新的投资者会议上，美光透露其HBM4开发已经步入正轨，而HBM4E的相关工作也已开始。美光凭借其在成熟的1β工艺技术方面的坚实基础和持续投资，预计HBM4将在上市时间和能效方面保持领先地位，同时性能比现有的HBM3E提升50%以上。

HBM4在许多方面都具有革命性意义。据悉，HBM4将采用1β工艺(即第五代10nm技术)生产的DRAM，并配备2048位接口，这使得其数据传输速率可高达6.4GT/s，理论带宽甚至达到了每堆栈1.64TB/s的惊人水平。美光预计HBM4将堆叠多达16个DRAM芯片，每个芯片的容量为32GB，从而大幅提升存储密度和性能表现。

在应用方面，HBM4预计将与AMD的Instinct MI400系列一起出现在英伟达的Rubin AI架构中，这将为AI计算提供更为强大的支持。此外，美光还透露了HBM4产品线的一些具体规格，并表示该技术将比上一代产品更加优越。

除了HBM4，美光还宣布了HBM4E工艺的开发计划。HBM4E将通过采用台积电先进的逻辑代工制造工艺，为某些客户提供定制逻辑基础芯片的选择，从而为存储器业务带来模式转变。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，HBM4E的推出将为存储行业带来革命性的变化，通过利用台积电的领先技术，美光将能为客户提供前所未有的定制化存储解决方案。

这种定制能力不仅将大幅增强美光自身的财务表现，也将引领整个存储行业迈向创新的新阶段。目前，HBM4E的开发工作进展顺利，已与多家客户建立合作关系，显示出其市场接受度与潜力。

值得注意的是，业界计划将内存和逻辑半导体集成到一个封装中，这意味着不再需要封装技术。这一变化将使得单个芯片的性能效率更高，从而进一步提升HBM4和HBM4E的竞争力。美光提到，他们将使用台积电作为“逻辑半导体”供应商，与SK Hynix采用的供应商类似，这将有助于他们实现这一目标。

在市场竞争方面，美光与SK海力士和三星等公司一样，也在争夺HBM4的主导地位。SK海力士决定将其HBM4制造工艺从5nm改为3nm，预计2025年下半年开始向英伟达供货。新工艺可提高20-30%的性能，改善内存带宽和延迟，尤其在人工智能计算中至关重要。三星电子也在加快产品开发，目标在明年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作，以夺回在HBM3和HBM3E方面失去的市场份额。

目前，HBM的需求正处于高峰期，美光公司自己也透露了到2025年的生产线预订情况。随着人工智能时代的到来，半导体业界认为DRAM市场进入了中长期增长时代。美光预计HBM的年均增长率将达到60%以上，这一趋势下要想确保HBM产品的产量达到与普通DRAM相同的水平，则至少需要相对于普通DRAM至少两倍以上的生产能力。

美光宣布开发“尖端”HBM4E工艺，并计划在2026年量产HBM4，这不仅将为公司自身带来巨大的商业机会，也将为整个存储行业带来革命性的变化。随着技术的不断进步和市场竞争的加剧，我们有理由相信，未来的存储技术将会更加高效、智能和多样化。