三星2025年初引入High NA EUV光刻机，全力冲刺1nm芯片研发

据10月30日消息，韩媒ETNews报道，三星电子已决定在2025年初引进其首台ASML High NA EUV光刻机，此举标志着三星将正式加入与英特尔、台积电在下代光刻技术商业化研发领域的竞争。

ASML High NA EUV光刻机作为2纳米以下先进制程的关键设备，对于三星电子加速推进1纳米芯片的商用化进程具有重要意义。据悉，三星此前已经与比利时微电子研究中心imec合作，在imec与ASML联手建立的High NA EUV光刻实验室进行了初步探索。此次引进自有High NA机台，将极大加速三星的研发进程。

据了解，ASML首代High NA EUV光刻机型号为EXE:5000。由于光刻机精密复杂，需要一段时间用于安装和调试，因此该机台有望在2025年中旬正式投入研发使用。三星目前半导体先进制程路线图已规划至SF1.4节点，预计于2027年实现量产，而采用High-NA光刻的制程最早也需要在SF1节点实现。

在先进制程代工领域，三星的主要竞争对手英特尔和台积电也在积极布局。英特尔已完成第二台High NA EUV光刻机的安装，台积电的首个机台也将于今年内实现交付。此外，在存储领域，SK海力士的首台High NA EUV光刻机也有望在2026年引入。

值得一提的是，三星在加速1nm工艺研发方面信心十足。根据海外媒体Sammobile的消息，三星计划在2024年6月于美国召开的晶圆代工论坛上正式公布其1nm制程工艺计划。据悉，该计划将1nm的量产时间从原本的2027年提前到了2026年。这一提前量产的决定，得益于三星在“Gate-All-Around(GAA)”电流控制技术方面的突破。该技术能显著降低晶体管的漏电流，提升芯片功率效率，为三星加速推进1nm工艺提供了有力支持。

如果三星在2026年实现1nm芯片量产的消息属实，那么这将对台积电的工艺发展计划产生一定影响。据悉，台积电计划在2027年达到1.6nm的“A16节点”，并在2027到2028年左右实现1.4nm工艺的量产。面对三星的强劲竞争，台积电也在积极布局1nm工艺相关的技术，以保持其在先进制程领域的领先地位。

总的来说，三星在2025年初引进High NA EUV光刻机，将为其加速推进1nm芯片的开发提供有力保障。随着全球半导体产业的不断发展，先进制程技术的竞争将越来越激烈，三星能否在1nm工艺领域取得突破，值得业界期待。