型号起始：	IRFBE* (27) IRFBE2* (7) IRFBE3* (20)
所属品牌：	不限 VISHAY(14) INFINEON(10) KERSEMI(2) ETC(1)
功能分类：	不限晶体(5) 晶体管(8) 功率场效应晶体管(3) 开关(5) 脉冲(8) 局域网(8)

IRFBE - 型号起始 - INFINEON; 总记录数：11

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRFBE20 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A) 功率MOSFET （ VDSS = 800V ， RDS（ON） = 6.5ohm ，ID = 1.8A ）
		IRFBE20PBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE22 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB	局域网脉冲晶体管
		IRFBE22-006PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	局域网脉冲晶体管
		IRFBE22-009 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	局域网脉冲晶体管
		IRFBE30 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) 功率MOSFET （ VDSS = 800V ， RDS（ON） = 3.0ohm ，ID = 4.1A ）
		IRFBE30L 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30LPBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30PBF 中文翻译品牌: INFINEON	漏源电压Vdss(V):800V;额定电流Id(A):4.1A（Tc）;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):78nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):125W（Tc）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO	栅栅极
		IRFBE30S 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30SPBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网

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