品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFP250
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP251
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP252
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP253
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP255
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
Total:51
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