所属品牌:不限 GLENAIR(147780) ETC(59227) AMPHENOL(56576) SAMTEC(40010) ABRACON(37620) ITT(20359) VISHAY(19598) ECLIPTEK(18459) WALSIN(16665) MICROSEMI(15952) GSI(12779) MOLEX(11734) CYPRESS(11322) MICROCHIP(9924) IDT(8198) ILSI(7534) MURATA(6654) GRAYHILL(5951) PLETRONICS(5949) TI(4644) INFINEON(4191) EUROQUARTZ(3971) APITECH(3908) KOA(3888) YAGEO(3605) KNOWLES(3569) MTRONPTI(3441) TAIYO YUDEN(3158) ROHM(3112) SAMSUNG(3104) TE(2873)
功能分类:不限 连接器(107269) 驱动(20757) 晶体(28477) 谐振器(24716) 静态存储器(34278) 测试(15261) 二极管(16729) PC(11090) 电阻器(5506) 石英晶体(7570) 连接器支架(4390) 内存集成电路(20126) 集管和边缘连接器(4087) 闪存(5967) 微控制器(7438) 电容器(6327) 光电二极管(16823) 局域网(8208) 机械(4224) 振荡器(5530) 存储(10840) 转换器(4785) 模数转换器(2998) 时钟(11987) 先进先出芯片(3658) 铝电解电容器(2142) 稳压器(3109) 编码器(4174) 圆形连接器(2536) 军用圆形连接器(1933) 双倍数据速率(5969) 光电(4269) DCS(1615) 分布式控制系统(1615) 射频感应器(2398) 电感器(5243) 输出元件(5296) 石英晶振(3411) 温度补偿晶振(1532) 动态存储器(3967) 电视(2069) 计数器(1488) 开关(5118) 显示器(1060) 衰减器(1540) 射频(1746) 微波(1574) (1378) 栅极(1468) 传感器(2543) 端子和端子排(1984)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
10-FE06PPA030SJ03-LK24B18Z
中文翻译 品牌: VINCOTECH
IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current 双极性晶体管
1SD418F2-FX800R33KF2
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
1SD418F2-FZ1200R33KF1
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
1SD418F2-FZ1200R33KF2
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
1SD418F2-FZ1200R33KL2C
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
1SD418F2-FZ1500R25KF1
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
1SD418F2-FZ2400R17KF6
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
20MT120UFPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MTP, 18 PIN 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网
2ED020I12FIXUMA1
中文翻译 品牌: INFINEON
Half Bridge Based Peripheral Driver, 2A, PDSO18, GREEN, PLASTIC, DSO-20/18 驱动 双极性晶体管 光电二极管 接口集成电路 驱动器
2N757A
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN 晶体管
2N759A
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN
2SD315AI-25
中文翻译 品牌: POWERINT
峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;驱动器数:2;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;元器件封装:模块; 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
2SD315AI-33
中文翻译 品牌: POWERINT
峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;驱动器数:2;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;元器件封装:模块; 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
2SD316EI-12
中文翻译 品牌: POWERINT
峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;驱动器数:2;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;元器件封装:模块; 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
2SD316EI-17
中文翻译 品牌: POWERINT
峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;驱动器数:2;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;元器件封装:模块; 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
2SH18
中文翻译 品牌: HITACHI
Silicon N-Channel IGBT
硅N沟道IGBT
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网
30-FT12NIA200H7-LG00F18
中文翻译 品牌: VINCOTECH
IGBT7 H7 High speed switching Low collector emitter saturation voltage Low turn-off losses Optimized for hard switching topologies Positive temperatu 双极性晶体管
30-PT12B2A200H713-PK89L18T
中文翻译 品牌: VINCOTECH
IGBT7 H7 High speed switching Low collector emitter saturation voltage Low turn-off losses Optimized for hard switching topologies Positive temperatu 双极性晶体管
30-PT12NIA200H7-LG00F18Y
中文翻译 品牌: VINCOTECH
IGBT7 H7 High speed switching Low collector emitter saturation voltage Low turn-off losses Optimized for hard switching topologies Positive temperatu 双极性晶体管
BC546_J18Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3 开关 晶体管
BC556_J18Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN 开关 晶体管
BCX17,235
中文翻译 品牌: NXP
BCX17; BCX18 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin 开关 光电二极管 晶体管
BCX18,215
中文翻译 品牌: NXP
BCX17; BCX18 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin 开关 光电二极管 晶体管
BCX18LT1
中文翻译 品牌: ONSEMI
General Purpose Transistors
通用晶体管
晶体 晶体管
BCX18LT1G EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI
General Purpose Transistors
通用晶体管
晶体 小信号双极晶体管 光电二极管
BFN18
中文翻译 品牌: INFINEON
NPN Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage)
NPN硅高压晶体管(适用
晶体 开关 连接器 连接器支架 军用连接器配件 小信号双极晶体管 电视 高压
BFN18E6327
中文翻译 品牌: INFINEON
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon 开关 晶体管
BFQ18A EDA模型
中文翻译 品牌: NXP
NPN 4 GHz wideband transistor
NPN 4 GHz宽带晶体管
晶体 晶体管
BFQ18A,115
中文翻译 品牌: NXP
BFQ18A - NPN 4 GHz wideband transistor SOT-89 3-Pin 放大器 晶体管
BSR18A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD
PNP General Purpose Amplifier
PNP通用放大器
放大器
Total:176123456
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