品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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10-FE06PPA030SJ03-LK24B18Z
中文翻译 品牌: VINCOTECH |
IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current | 双极性晶体管 | |||
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1SD418F2-FX800R33KF2
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KF1
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KF2
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KL2C
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1500R25KF1
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ2400R17KF6
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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20MT120UFPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MTP, 18 PIN | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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2ED020I12FIXUMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Half Bridge Based Peripheral Driver, 2A, PDSO18, GREEN, PLASTIC, DSO-20/18 | 驱动 双极性晶体管 光电二极管 接口集成电路 驱动器 | ||
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2N757A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN | 晶体管 | ||
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2N759A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN | |||
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2SD315AI-25
中文翻译 品牌: POWERINT |
峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;驱动器数:2;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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2SD315AI-33
中文翻译 品牌: POWERINT |
峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;驱动器数:2;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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2SD316EI-12
中文翻译 品牌: POWERINT |
峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;驱动器数:2;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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2SD316EI-17
中文翻译 品牌: POWERINT |
峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;驱动器数:2;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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2SH18
中文翻译 品牌: HITACHI |
Silicon N-Channel IGBT 硅N沟道IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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30-FT12NIA200H7-LG00F18
中文翻译 品牌: VINCOTECH |
IGBT7 H7 High speed switching Low collector emitter saturation voltage Low turn-off losses Optimized for hard switching topologies Positive temperatu | 双极性晶体管 | |||
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30-PT12B2A200H713-PK89L18T
中文翻译 品牌: VINCOTECH |
IGBT7 H7 High speed switching Low collector emitter saturation voltage Low turn-off losses Optimized for hard switching topologies Positive temperatu | 双极性晶体管 | |||
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30-PT12NIA200H7-LG00F18Y
中文翻译 品牌: VINCOTECH |
IGBT7 H7 High speed switching Low collector emitter saturation voltage Low turn-off losses Optimized for hard switching topologies Positive temperatu | 双极性晶体管 | |||
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BC546_J18Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3 | 开关 晶体管 | ||
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BC556_J18Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN | 开关 晶体管 | ||
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BCX17,235
中文翻译 品牌: NXP |
BCX17; BCX18 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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BCX18,215
中文翻译 品牌: NXP |
BCX17; BCX18 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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BCX18LT1
中文翻译 品牌: ONSEMI |
General Purpose Transistors 通用晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BCX18LT1G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
General Purpose Transistors 通用晶体管 |
晶体 小信号双极晶体管 光电二极管 | ||
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BFN18
中文翻译 品牌: INFINEON |
NPN Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage) NPN硅高压晶体管(适用 |
晶体 开关 连接器 连接器支架 军用连接器配件 小信号双极晶体管 电视 高压 | ||
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BFN18E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 开关 晶体管 | |||
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BFQ18A
EDA模型
中文翻译 品牌: NXP |
NPN 4 GHz wideband transistor NPN 4 GHz宽带晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BFQ18A,115
中文翻译 品牌: NXP |
BFQ18A - NPN 4 GHz wideband transistor SOT-89 3-Pin | 放大器 晶体管 | ||
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BSR18A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
PNP General Purpose Amplifier PNP通用放大器 |
放大器 |