| 型号等于： | ATC100A (2) |
| 型号起始： | ATC100A* (17) ATC100A0* (3) ATC100A1* (7) ATC100A2* (3) ATC100A3* (1) ATC100A8* (1) |
| 所属品牌： | 不限 NXP(6) RFMD(5) ETC(4) FREESCALE(1) |
| 功能分类： | 不限 脉冲(5) 晶体(1) 晶体管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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ATC100A
中文翻译 品牌: ETC |
Ultra-Stable Performance 超稳定的性能 |
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ATC100A0R2BT
中文翻译 品牌: RFMD |
280W GaN WIDEBAND PULSED POWER 280W氮化镓WIDEBAND脉冲功率 |
脉冲 | |||
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ATC100A0R5BT500XT
中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | ||||
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ATC100A0R7BT
中文翻译 品牌: RFMD |
280W GaN WIDEBAND PULSED POWER 280W氮化镓WIDEBAND脉冲功率 |
脉冲 | |||
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ATC100A100JP150XT
中文翻译 品牌: NXP |
Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor | ||||
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ATC100A100JW150XI
中文翻译 品牌: ETC |
Ultra-Stable Performance 超稳定的性能 |
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ATC100A100JW150XT
中文翻译 品牌: ETC |
Ultra-Stable Performance 超稳定的性能 |
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ATC100A100JW150XTV
中文翻译 品牌: ETC |
Ultra-Stable Performance 超稳定的性能 |
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ATC100A101JP150XT
中文翻译 品牌: NXP |
Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor | ||||
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ATC100A120JT
中文翻译 品牌: RFMD |
280W GaN WIDEBAND PULSED POWER 280W氮化镓WIDEBAND脉冲功率 |
脉冲 | |||
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ATC100A150JT
中文翻译 品牌: RFMD |
380W GaN WIDEBAND PULSED 380W氮化镓WIDEBAND脉冲 |
脉冲 | |||
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ATC100A220GT500XT
中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | ||||
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ATC100A220JT
中文翻译 品牌: RFMD |
280W GaN WIDEBAND PULSED POWER 280W氮化镓WIDEBAND脉冲功率 |
脉冲 | |||
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ATC100A220JT150XT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power LDMOS Transistors RF功率LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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ATC100A3R3BT500XT
中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | ||||
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ATC100A8R2CT500XT
中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
Total:161
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