品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BC847BD87Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | ||||
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BC847BDE
中文翻译 品牌: SWST |
小信号晶体管 | 晶体管 | |||
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BC847BDE-HAF
中文翻译 品牌: SWST |
小信号三极管 | ||||
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BC847BDG
中文翻译 品牌: NXP |
45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors 45 V , 100毫安NPN通用晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BC847BDW
中文翻译 品牌: WEITRON |
General Purpose Transistor NPN Duals 通用晶体管NPN偶 |
晶体 晶体管 | |||
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BC847BDW
中文翻译 品牌: FUTUREWAFER |
NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors | ||||
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BC847BDW
中文翻译 品牌: AITSEMI |
IC (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE Min/Max : 200/450; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts) : 2/5; VCE(sat) / Max(Volts) : 0.6; VCE(sat) /IC/IB(mA) : 100/5; fT TYP(MH | ||||
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BC847BDW
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
45V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor | ||||
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BC847BDW
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-363; Polarity : NPN+NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE = Min : 200; hFE = Max : 450; hFE = Ic (mA) : 2; hFE = VCE (V) : 5; VCE (sat) | ||||
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BC847BDW-CAR
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-363; Polarity : NPN+NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 45; hFE = Min : 200; hFE = Max : 450; hFE = Ic (mA) : 2; hFE = VCE (V) : 5; VCE (sat) | ||||
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BC847BDW-G
中文翻译 品牌: WEITRON |
Transistor | ||||
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BC847BDW-H
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : SOT-363; Polarity : Dual NPN; VCBOMax.(V) : 50; VCEOMax.(V) : 45; VEBOM | ||||
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BC847BDW-Q1-H
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : SOT-363; Polarity : Dual NPN; VCBOMax.(V) : 50; VCEOMax.(V) : 45; VEBOM | ||||
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BC847BDW1T1
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Dual General Purpose Transistors 双路通用晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BC847BDW1T1
中文翻译 品牌: ETL |
Dual General Purpose Transistors 双路通用晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BC847BDW1T1G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Dual General Purpose Transistors 双路通用晶体管 |
晶体 小信号双极晶体管 光电二极管 放大器 PC | ||
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BC847BDW1T3
中文翻译 品牌: ONSEMI |
暂无描述 | 晶体 小信号双极晶体管 光电二极管 放大器 | ||
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BC847BDW1T3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Dual General Purpose Transistors 双路通用晶体管 |
晶体 小信号双极晶体管 光电二极管 放大器 |
Total:181
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