| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSS138BKW
中文翻译 品牌: NXP |
60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET 60 V ， 320毫安N沟道沟槽MOSFET |
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BSS138BKW
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
60V, N Channel, Small Signal MOSFETs | ||||
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BSS138BKW-BX
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
元器件封装:SOT-323; | ||||
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BSS138BKWT106
中文翻译 品牌: ROHM |
元器件封装:SOT-323; | ||||
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BSS138BW
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-323 | ||||
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BSS138BWAHZG
中文翻译 品牌: ROHM |
BSS138BWAHZG采用UMT3封装，内置有单极Nch 60V 380mA MOSFET和ESD保护二极管。非常适用于低边负载开关、开关电路和继电器驱动器等应用。是一款符合AEC-Q101标准的车载用MOSFET。 | 开关 驱动 继电器 二极管 驱动器 | |||
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BSS138BX
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-563 | ||||
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BSS138D
中文翻译 品牌: RUILON |
小信号Mos | ||||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: DIODES |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
0.2A, 50V, 0.2W, N Channel, Dual MOSFETs | ||||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-363 | ||||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: JINGHENG |
Configuration:Single; Ch:N; Vds(V):50; Id(A):0.34; Pd(W):0.35; Vgs(MAX)(V):±20; Vth(Min)(V):0.8; Vth(Max)(V):1.6; RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V:1.2; RDS(on)(ty | ||||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-363; Polarity : Dual-N; ESD : No; VDS (V) : 50; VGS (±V) : ±20; ID (A) @ 25°C : 0.2; VGS (TH) (V) : 0.5~1.5; | ||||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: FS |
POLARITY : N-ch; PC : 0.35; ID : 0.3; VDSS : 55; Vth(min) : 0.8; RDS : 1500; VGS(RDS) : 10; Dual Type : ○; Package : SOT-363; | PC | |||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: HDSEMI |
场效应 | ||||
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BSS138DW-7
中文翻译 品牌: DIODES |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | ||
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BSS138DW-7-F
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 PC | ||
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BSS138DWK
中文翻译 品牌: DIODES |
50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS138DWQ
中文翻译 品牌: DIODES |
Low On-Resistance | ||||
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BSS138DWQ-13
中文翻译 品牌: DIODES |
Low On-Resistance | |||
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BSS138DWQ-7
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
Low On-Resistance | |||
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BSS138DW_09
中文翻译 品牌: DIODES |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS138DW_1
中文翻译 品牌: DIODES |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS138E
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-523 | ||||
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BSS138E
中文翻译 品牌: HC |
SOT-23-3 | ||||
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BSS138E
中文翻译 品牌: ANBON |
SOT-23 | ||||
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BSS138E
中文翻译 品牌: GSME |
Channel : N; Pd(mW) : 225; ID(A) : 0.22; BVDSS(V) : 60; Package : SOT-23; | ||||
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BSS138E (KSS138E)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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BSS138E-6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN | ||||
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BSS138E-Q1
中文翻译 品牌: ANBON |
SOT-23 |