| 型号等于： | C4532X7R1H685K (2) C4532X7R1H685KT (1) |
| 型号起始： | C4532X7R1H685K* (4) C4532X7R1H685K2* (1) C4532X7R1H685KT* (1) |
| 所属品牌： | 不限 FREESCALE(1) NXP(1) TDK(1) |
| 功能分类： | 不限 电容器(2) 晶体(1) 晶体管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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C4532X7R1H685K
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET |
晶体 晶体管 | |||
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C4532X7R1H685K250KB
EDA模型
中文翻译 品牌: TDK |
CAP CER 6.8UF 50V X7R 1812 | 电容器 | ||
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C4532X7R1H685KT
中文翻译 品牌: NXP |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers | 电容器 |
Total:31
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