| 型号等于： | DS1220Y-100 (1) |
| 型号起始： | DS1220Y-10* (5) DS1220Y-100* (5) |
| 所属品牌： | 不限 MAXIM(3) DALLAS(1) ETC(1) |
| 功能分类： | 不限 静态存储器(4) 内存集成电路(4) 存储(2) 光电二极管(2) 电池(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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DS1220Y-100
中文翻译 品牌: DALLAS |
16k Nonvolatile SRAM 16K非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220Y-100+
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-EDIP; | 存储 | ||
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DS1220Y-100-IND
中文翻译 品牌: ETC |
NVRAM (Battery Based)
NVRAM （基电池） |
电池 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1220Y-100IND
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH,DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1220Y-100IND+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-24 | 静态存储器 内存集成电路 |
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