型号等于：	DS1265 (2) DS1265W (2) DS1265Y (2)
型号起始：	DS1265* (34) DS1265A* (10) DS1265W* (10) DS1265Y* (12)
所属品牌：	不限 MAXIM(12) DALLAS(7) ETC(6) ROCHESTER(6) ADI(2)
功能分类：	不限静态存储器(28) 内存集成电路(19) 存储(4) 光电二极管(5) 电池(5) 控制器(1)

DS1265 - 型号起始; 总记录数：36

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		DS1265 中文翻译品牌: ETC	Nonvolatile Controller 非易失控制器\n	控制器
		DS1265AB 中文翻译品牌: ADI	8M非易失SRAM	静态存储器
		DS1265AB 中文翻译品牌: MAXIM	8M Nonvolatile SRAM 8M非易失SRAM	静态存储器
		DS1265AB-100 中文翻译品牌: ROCHESTER	1MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA36, 0.740 INCH, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265AB-100+ 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265AB-100-IND 中文翻译品牌: ETC	NVRAM (Battery Based) NVRAM （基电池）	电池
		DS1265AB-70 中文翻译品牌: ROCHESTER	1MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA36, 0.740 INCH, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265AB-70-IND 中文翻译品牌: ETC	NVRAM (Battery Based) NVRAM （基电池）	电池
		DS1265AB-70IND 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265AB-70IND+ 中文翻译品牌: ROCHESTER	1MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265AB-70IND+ 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265W 中文翻译品牌: DALLAS	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM	静态存储器
		DS1265W 中文翻译品牌: MAXIM	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM	静态存储器
		DS1265W-100 中文翻译品牌: DALLAS	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		DS1265W-100 中文翻译品牌: MAXIM	存储容量(Mb):8Mb（1M x 8）;内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;元器件封装:36-EDIP;	存储
		DS1265W-100+ 中文翻译品牌: MAXIM	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM	静态存储器内存集成电路
		DS1265W-100-IND 中文翻译品牌: DALLAS	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		DS1265W-100IND 中文翻译品牌: DALLAS	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM	静态存储器
		DS1265W-100IND 中文翻译品牌: MAXIM	存储容量(Mb):8Mb（1M x 8）;内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;最大存取时间(ns）:100ns;最小工作电压(V):3V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:36-EDIP;	存储
		DS1265W-100IND+ 中文翻译品牌: MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265W-150 中文翻译品牌: DALLAS	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		DS1265W-150 中文翻译品牌: MAXIM	存储容量(Mb):8Mb（1M x 8）;内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;元器件封装:36-EDIP;	存储
		DS1265W-150-IND 中文翻译品牌: DALLAS	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		DS1265W_10 中文翻译品牌: DALLAS	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM	静态存储器
		DS1265Y 中文翻译品牌: MAXIM	8M Nonvolatile SRAM 8M非易失SRAM	内存集成电路静态存储器光电二极管
		DS1265Y 中文翻译品牌: ADI	8M非易失SRAM	静态存储器
		DS1265Y-100 中文翻译品牌: ETC	NVRAM (Battery Based) NVRAM （基电池）	电池
		DS1265Y-100-IND 中文翻译品牌: ETC	NVRAM (Battery Based) NVRAM （基电池）	电池内存集成电路静态存储器
		DS1265Y-70 中文翻译品牌: ROCHESTER	1MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA36, 0.740 INCH, DIP-36	静态存储器内存集成电路
		DS1265Y-70+ 中文翻译品牌: ROCHESTER	1MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36	静态存储器内存集成电路

Total:3612 下页

总36条记录，每页显示30条记录分2页显示。