型号起始: | DS1265W-* (7) DS1265W-1* (7) |
所属品牌: | 不限 DALLAS(5) MAXIM(2) |
功能分类: | 不限 存储(4) 内存集成电路(6) 静态存储器(7) 光电二极管(4) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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DS1265W-100
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1265W-100
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):8Mb(1M x 8);内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;元器件封装:36-EDIP; | 存储 | ||
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DS1265W-100+
中文翻译 品牌: MAXIM |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1265W-100-IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1265W-100IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM | 静态存储器 | |||
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DS1265W-100IND
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):8Mb(1M x 8);内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;最大存取时间(ns):100ns;最小工作电压(V):3V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:36-EDIP; | 存储 | ||
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DS1265W-100IND+
中文翻译 品牌: MAXIM |
Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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DS1265W-150
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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DS1265W-150
中文翻译 品牌: MAXIM |
存储容量(Mb):8Mb(1M x 8);内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;元器件封装:36-EDIP; | 存储 | ||
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DS1265W-150-IND
中文翻译 品牌: DALLAS |
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 3.3V的8Mb非易失SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 |
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