型号起始：	GS4576C3* (12) GS4576C36* (12)
所属品牌：	不限 GSI(12)
功能分类：	不限动态存储器(12) 双倍数据速率(11) 内存集成电路(11)

GS4576C3 - 型号起始; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		GS4576C36GL-18 中文翻译品牌: GSI	576Mb CIO Low Latency DRAM (LLDRAM II)	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		GS4576C36GL-24 中文翻译品牌: GSI	DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, UBGA-144	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		GS4576C36GL-24I 中文翻译品牌: GSI	DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, UBGA-144	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		GS4576C36GL-25 中文翻译品牌: GSI	576Mb CIO Low Latency DRAM (LLDRAM II)	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		GS4576C36GL-25I 中文翻译品牌: GSI	576Mb CIO Low Latency DRAM (LLDRAM II)	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		GS4576C36GL-33 中文翻译品牌: GSI	576Mb CIO Low Latency DRAM (LLDRAM II)	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		GS4576C36L-18 中文翻译品牌: GSI	576Mb CIO Low Latency DRAM (LLDRAM II)	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		GS4576C36L-24 中文翻译品牌: GSI	576Mb CIO Low Latency DRAM (LLDRAM II)	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		GS4576C36L-24I 中文翻译品牌: GSI	DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, UBGA-144	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		GS4576C36L-24IT 中文翻译品牌: GSI	DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, UBGA-144	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		GS4576C36L-25 中文翻译品牌: GSI	576Mb CIO Low Latency DRAM (LLDRAM II)	动态存储器
		GS4576C36L-33 中文翻译品牌: GSI	576Mb CIO Low Latency DRAM (LLDRAM II)	动态存储器双倍数据速率内存集成电路

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