| 型号等于： | HY2N70D (1) HY2N70M (1) HY2N70T (1) |
| 型号起始： | HY2N70* (4) HY2N700* (1) HY2N70D* (1) HY2N70M* (1) HY2N70T* (1) |
| 所属品牌： | 不限 HY(3) HUAYI(1) |
| 功能分类： | 不限 电池(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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HY2N7002E
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 60V、2.4Ω、SOT23-3L封装产品，采用Trench流片工艺，可满足如LED电源，电池管理系统等应用领域。 | 电池 | |||
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HY2N70D
中文翻译 品牌: HY |
700V / 2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET 700V / 2A N沟道增强型MOSFET |
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HY2N70M
中文翻译 品牌: HY |
700V / 2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET 700V / 2A N沟道增强型MOSFET |
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HY2N70T
中文翻译 品牌: HY |
700V / 2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET 700V / 2A N沟道增强型MOSFET |
Total:41
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