| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF135SA204
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):135 V ;额定电流Id(A):160A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):5.9 毫欧 @ 96A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):315 nC @ | 栅 栅极 | ||
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IRF3315STRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):150 V ;额定电流Id(A):21A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):82 毫欧 @ 12A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):95 nC @ 10 | 栅 栅极 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 栅 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: TRSYS |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE N沟道增强型硅栅 |
晶体 晶体管 栅 局域网 | |||
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IRF530/D
中文翻译 品牌: ETC |
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
N沟道增强型硅栅\n |
栅 | |||
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IRF531
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | |||
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IRF532
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 栅 | |||
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IRF533
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 栅 | |||
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IRF540/D
中文翻译 品牌: ETC |
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
N沟道增强型硅栅\n |
栅 | |||
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IRF540_03
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N-CHANNEL 100V - 0.055ヘ - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET N沟道100V - 0.055ヘ - 22A TO- 220低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET |
栅 | |||
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IRF610STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
漏源电压Vdss(V):200V;额定电流Id(A):3.3A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.5 Ohm @ 2A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):8.2nC | 栅 栅极 | ||
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IRF6620TR1PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):20 V ;额定电流Id(A):27A（Ta），150A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):2.7 毫欧 @ 27A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):42 | 栅 栅极 | ||
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IRF7380TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):80V;额定电流Id(A):3.6A;最大导通阻抗Ron(mΩ):73 毫欧 @ 2.2A，10V;类型:2 N-通道（双）;栅极电荷Qg(nC):23nC @ 10V;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150 | 栅 栅极 | ||
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IRF740STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
漏源电压Vdss(V):400V;额定电流Id(A):10A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):550 mOhm @ 6A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):63nC | 栅 栅极 | ||
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IRF7410GTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):12V;额定电流Id(A):16A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):7 mOhm @ 16A, 4.5V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):91nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±8V;最小工作温度(℃) | 栅 栅极 | ||
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IRF7457TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):15A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):7 mOhm @ 15A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):42nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃) | 栅 栅极 | ||
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IRF7466TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):30 V ;额定电流Id(A):11A（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):12.5 毫欧 @ 11A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):23 nC @ 4. | 栅 栅极 | ||
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IRF7495TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses 低栅极到漏极电荷降低开关损耗 |
晶体 栅极 开关 晶体管 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7821
中文翻译 品牌: RICHTEK |
6A, 24V, 600kHz Step-Down Converter with Synchronous Gate Driver 6A ， 24V ， 600kHz的降压转换器与同步闸极驱动器 |
晶体 驱动器 转换器 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 栅 | |||
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IRF7862TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):21A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):3.7 mOhm @ 20A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):45nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度( | 栅 栅极 | ||
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IRF7904TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):7.6A, 11A;最大导通阻抗Ron(mΩ):16.2 mOhm @ 7.6A, 10V;类型:2 N-Channel (Dual);栅极电荷Qg(nC):11nC @ 4.5V;栅源耐压Vgs(V):2.25V @ 25µA;最小工作温度(℃) | 栅 栅极 | ||
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IRF820
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS N沟道增强模式硅栅的TMOS |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | |||
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IRF820T
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | |||
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IRF821
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS N沟道增强模式硅栅的TMOS |
栅 | |||
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IRF823
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS N沟道增强模式硅栅的TMOS |
栅 | |||
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IRF830A
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement 低栅极电荷Qg结果简单驱动要求 |
栅极 驱动 | |||
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IRF830APBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement 低栅极电荷Qg结果简单驱动要求 |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 驱动 局域网 | |||
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IRF840
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 栅 | ||
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IRF841
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | |||
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IRF842
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 栅 |