型号起始：IRF* (2801) IRF0* (8) IRF1* (103) IRF2* (101) IRF3* (89) IRF4* (75) IRF5* (170) IRF6* (247) IRF7* (202) IRF8* (156) IRF9* (228) IRFA* (8) IRFB* (177) IRFC* (32) IRFD* (102) IRFE* (16) IRFF* (143) IRFG* (4) IRFI* (256) IRFK* (2) IRFL* (28) IRFM* (25) IRFN* (6) IRFP* (209) IRFR* (200) IRFS* (6) IRFU* (159) IRFZ* (49)
所属品牌：不限 INFINEON(7941) VISHAY(2877) ETC(772) FAIRCHILD(605) KERSEMI(509) SAMSUNG(350) NJSEMI(236) MOTOROLA(232) SEME-LAB(152) INTERSIL(136) UMW(87) ROCHESTER(83) STMICROELECTRONICS(64) RENESAS(63) FREESCALE(54) SUNTAC(35) ISC(33) IXYS(29) HARRIS(28) MICROSEMI(20) NXP(20) TRSYS(20) KEXIN(18) GE(14) FOSHAN(12) SUPERTEX(12) TI(11) ONSEMI(8) A-POWER(7) DCCOM(6) TEMIC(6)
功能分类：不限 局域网(4292) 开关(5371) 脉冲(4961) 晶体管(7046) 晶体(4089) 功率场效应晶体管(1959) 测试(217) 射频感应器(240) 电感器(371) 光电二极管(678) 转换器(141) 小信号场效应晶体管(105) PC(157) 肖特基二极管(61) 模拟IC(15) 计算机(27) 瞄准线(21) 高压(39) 栅(21) 电机(7) 驱动(12) 高电压电源(13) 场效应晶体管(15) 电源电路(10) 电池(18) 电脑(14) 控制器(5) 放大器(15) CD(12) 高功率电源(7) 快速晶闸管(3) 可控硅(3) 二极管(5) 栅极(8) 电阻器(3) 监控(2) 游戏(4) 游戏机(4) 服务器(4) 电信(3) DC-DC转换器(2) 功率因数校正(1) 电视(1) 装置(1) 插座(2) 升压转换器(1) 驱动器(1) 稳压器(1)

IRF - 型号起始 - 栅极; 总记录数：35

品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
IRF135SA204
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):135 V ;额定电流Id(A):160A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):5.9 毫欧 @ 96A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):315 nC @ 栅 栅极
IRF3315STRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):150 V ;额定电流Id(A):21A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):82 毫欧 @ 12A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):95 nC @ 10 栅 栅极
IRF610STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY 		漏源电压Vdss(V):200V;额定电流Id(A):3.3A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.5 Ohm @ 2A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):8.2nC 栅 栅极
IRF6620TR1PBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):20 V ;额定电流Id(A):27A（Ta），150A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):2.7 毫欧 @ 27A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):42 栅 栅极
IRF7380TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):80V;额定电流Id(A):3.6A;最大导通阻抗Ron(mΩ):73 毫欧 @ 2.2A，10V;类型:2 N-通道（双）;栅极电荷Qg(nC):23nC @ 10V;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150 栅 栅极
IRF740STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY 		漏源电压Vdss(V):400V;额定电流Id(A):10A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):550 mOhm @ 6A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):63nC 栅 栅极
IRF7410GTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):12V;额定电流Id(A):16A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):7 mOhm @ 16A, 4.5V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):91nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±8V;最小工作温度(℃) 栅 栅极
IRF7457TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):15A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):7 mOhm @ 15A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):42nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃) 栅 栅极
IRF7466TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):30 V ;额定电流Id(A):11A（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):12.5 毫欧 @ 11A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):23 nC @ 4. 栅 栅极
IRF7495TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses
低栅极到漏极电荷降低开关损耗		 晶体 栅极 开关 晶体管 脉冲 光电二极管
IRF7862TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):21A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):3.7 mOhm @ 20A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):45nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度( 栅 栅极
IRF7904TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):7.6A, 11A;最大导通阻抗Ron(mΩ):16.2 mOhm @ 7.6A, 10V;类型:2 N-Channel (Dual);栅极电荷Qg(nC):11nC @ 4.5V;栅源耐压Vgs(V):2.25V @ 25µA;最小工作温度(℃) 栅 栅极
IRF830A
中文翻译 品牌: KERSEMI 		Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement
低栅极电荷Qg结果简单驱动要求		 栅极 驱动
IRF830APBF
中文翻译 品牌: KERSEMI 		Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement
低栅极电荷Qg结果简单驱动要求		 晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 驱动 局域网
IRF9333TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):9.2A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):19.4 mOhm @ 9.2A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):38nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温 栅 栅极
IRF9335TRPBF EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):30 V ;额定电流Id(A):5.4A（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):59 毫欧 @ 5.4A，10V ;类型:P 通道 ;栅极电荷Qg(nC):14 nC @ 栅 栅极
IRF9410TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):7A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):30 mOhm @ 7A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):27nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):- 栅 栅极
IRF9640STRLPBF EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY 		漏源电压Vdss(V):200V;额定电流Id(A):11A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):500 mOhm @ 6.6A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):44n 栅 栅极
IRF9910PBF_08
中文翻译 品牌: INFINEON 		Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge
双SO- 8 MOSFET的POL低栅极电荷		 栅极
IRFB16N50K
中文翻译 品牌: KERSEMI 		Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement
低栅极电荷Qg结果简单驱动要求		 晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 驱动 局域网
IRFB16N50KPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI 		Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement
低栅极电荷Qg结果简单驱动要求		 晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 驱动 局域网
IRFBE30PBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):800V;额定电流Id(A):4.1A（Tc）;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):78nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):125W（Tc）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO 栅 栅极
IRFD120PBF EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY 		漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):1.3A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):270 mOhm @ 780mA, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):16nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):1.3W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作 栅 栅极
IRFD9120PbF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):1A（Ta）;类型:P通道;栅极电荷Qg(nC):18nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):1.3W（Ta）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 175°C;元器件封装:4-DI 栅 栅极
IRFP064PBF
中文翻译 品牌: KEXIN 		漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):70A;最大导通阻抗Ron(mΩ):9 mOhm @ 78A, 10V;类型:N Channel;栅极电荷Qg(nC):190nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):300W (Tc);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):-55° 栅 栅极
IRFPC50PBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):600V;额定电流Id(A):11A（Tc）;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):140nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):180W（Tc）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO 栅 栅极
IRFR3410
中文翻译 品牌: KERSEMI 		Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
低栅极 - 漏极电荷降低开关损耗		 晶体 栅极 开关 晶体管 脉冲
IRFR3504ZTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):40 V ;额定电流Id(A):42A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):9 毫欧 @ 42A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):45 nC @ 10 V 栅 栅极
IRFR7546TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):60 V ;额定电流Id(A):56A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):7.9 毫欧 @ 43A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):87 nC @ 10 栅 栅极
IRFR7746TRPBF EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON 		漏源电压Vdss(V):75V;额定电流Id(A):56A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):11.2 mOhm @ 35A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):89nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):99W (Tc);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃ 栅 栅极
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