| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFC5110
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | 开关 晶体管 | |||
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IRFC5110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | 开关 晶体管 | |||
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IRFG110
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) 功率MOSFET直通孔（ MO- 036AB ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFG110
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD 14 LEAD双列直插式QUAD |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFG110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE- | 晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFG1Z0
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | 脉冲 晶体管 | |||
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IRFG6110
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) 功率MOSFET直通孔（ MO- 036AB ） |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | ||
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IRFG6110
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD 14 LEAD双列直插式QUAD |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | ||
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IRFG6110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFN054
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.020ohm, Id=55A*) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.020ohm ，ID = 55A * ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFN140SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
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IRFNG50
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 1000V ， RDS（ON） = 2.0ohm ，ID = 5.5A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 |
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