| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF630NS
中文翻译 品牌: TRSYS |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRF630NSL86Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 开关 晶体管 | |||
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IRF630NSL99Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | ||||
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IRF630NSPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630NSRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology | ||||
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IRF630NSS62Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 开关 晶体管 | |||
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IRF630NSTRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 9.3AI （D ） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF630NSTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | |||
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IRF630NSTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 9.3AI （D ） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630NSTRR
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF630NSTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2 | |||
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IRF630N_04
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF630PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS （ ON） = 0.40ヘ， ID = 9.0A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF630R
中文翻译 品牌: RENESAS |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
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IRF630S
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH合成] MOSFET |
晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRF630S
中文翻译 品牌: NXP |
N-channel TrenchMOS transistor N沟道晶体管的TrenchMOS |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF630S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRF630S
中文翻译 品牌: TRSYS |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF630S
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF630S
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | 局域网 晶体管 | |||
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IRF630S (KRF630S)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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IRF630S, SiHF630S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRF630SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS （ ON） = 0.40ヘ， ID = 9.0A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF630ST4
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 9A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF630STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF630STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
暂无描述 | |||
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IRF630T
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF630U
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |