品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF630S
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH合成] MOSFET |
晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRF630S
中文翻译 品牌: NXP |
N-channel TrenchMOS transistor N沟道晶体管的TrenchMOS |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF630S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRF630S
中文翻译 品牌: TRSYS |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF630S
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF630S
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | 局域网 晶体管 | |||
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IRF630S (KRF630S)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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IRF630S, SiHF630S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRF630SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A ) HEXFET功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS ( ON) = 0.40ヘ, ID = 9.0A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF630ST4
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V( BR ) DSS | 9A I( D) | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF630STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF630STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF630STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
暂无描述 |
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