| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF9Z34
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9Z34
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel 功率MOSFET动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩P沟道 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF9Z34-012PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF9Z34-015PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF9Z34F
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF9Z34FPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRF9Z34FX
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRF9Z34FXPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF9Z34L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A) 功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.14ohm ，ID = -18A ） |
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IRF9Z34L
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF9Z34LPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF9Z34LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Surface Mount 表面贴装 |
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IRF9Z34N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.10ohm ，ID = -19A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9Z34N
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-19A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:100mΩ@-10V | ||||
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IRF9Z34NL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.10ohm ，ID = -19A ） |
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IRF9Z34NLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9Z34NPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ POWER MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF9Z34NS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.10ohm ，ID = -19A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9Z34NSPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9Z34NSTRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3 | |||
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IRF9Z34NSTRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:D2PAK; | |||
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IRF9Z34NSTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF9Z34NSTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | |||
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IRF9Z34PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF9Z34PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF9Z34PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel 功率MOSFET动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩P沟道 |
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IRF9Z34S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A) 功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.14ohm ，ID = -18A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF9Z34S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF9Z34S, SiHF9Z34S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRF9Z34SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 |