| 型号起始： | IRFBE* (27) IRFBE2* (7) IRFBE3* (20) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(14) INFINEON(10) KERSEMI(2) ETC(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(13) 晶体管(16) 功率场效应晶体管(6) 开关(12) 脉冲(16) 局域网(16) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFBE30PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):800V;额定电流Id(A):4.1A（Tc）;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):78nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):125W（Tc）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO | 栅 栅极 |
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