| 型号等于： | IRFD9120 (6) |
| 型号起始： | IRFD9120* (7) IRFD9120P* (1) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(2) INFINEON(1) INTERSIL(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(4) 晶体管(4) 功率场效应晶体管(2) 开关(4) 光电二极管(4) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFD9120
中文翻译 品牌: INTERSIL |
1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET 1.0A ， 100V ， 0.6欧姆，P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9120
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-1.0A) 功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.60ohm ，ID = -1.0A ） |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD9120
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9120PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9120PbF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):1A（Ta）;类型:P通道;栅极电荷Qg(nC):18nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):1.3W（Ta）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 175°C;元器件封装:4-DI | 栅 栅极 |
Total:51
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