| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR110TRRPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩 |
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IRFR110_R4941
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFR111
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-252
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V（ BR ） DSS | 4.4AI （D ） | TO- 252\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFR1111
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A) 功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.031ohm ，ID = 33A ） |
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IRFR111TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||||
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IRFR120
中文翻译 品牌: INTERSIL |
8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 8.4A ， 100V ， 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR120
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR120
中文翻译 品牌: VISHAY |
IRFR120 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFR120-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | ||||
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IRFR1205
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A) 功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.027ohm ，ID = 44A ） |
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IRFR1205
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRFR1205
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Ultra Low On-Resistance 超低导通电阻 |
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IRFR1205PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR1205PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
ULTRA LOW ON-RESISTANCE 超低导通电阻 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR1205TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR1205TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRFR1205TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:44A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:27mΩ@10V | ||||
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IRFR1205TRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR1205TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:D-PAK; | |||
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IRFR1205TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Ultra Low On-Resistance 超低导通电阻 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR1205TRR
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Ultra Low On-Resistance 超低导通电阻 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR1205TRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR1205TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DP | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR120A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
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IRFR120ATF
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET | |||
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IRFR120ATM
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Avalanche Rugged Technology | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR120ATM
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-252; | |||
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IRFR120N
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR120NCLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Surface Mount (IRFR120N) |