品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR1010Z
中文翻译 品牌: INFINEON |
AUTOMOTIVE MOSFET 汽车MOSFET |
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IRFR1010Z
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRFR1010ZPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
AUTOMOTIVE MOSFET 汽车MOSFET |
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IRFR1010ZTRL
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR1010ZTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D | |||
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IRFR1010ZTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR1010ZTRR
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR1010ZTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR1018E
中文翻译 品牌: INFINEON |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications re | ||||
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IRFR1018EPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TM Power MOSFET TM HEXFET功率MOSFET |
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IRFR1018ETR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):47A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:8.4mΩ@10V | ||||
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IRFR1018ETRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR1018ETRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | |||
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IRFR1018ETRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR110
中文翻译 品牌: INTERSIL |
4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 4.7A , 100V , 0.540 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRFR110
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRFR110
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRFR110, SiHFR110
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFR110A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR110ATF
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
4.7A, 100V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR110ATM
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
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IRFR110ATM_NL
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR110PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢Power MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
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IRFR110PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩 |
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IRFR110TF
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFR110TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR110TR
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩 |
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IRFR110TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR110TRL
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 |