| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
IRFR010
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | |||
 |
IRFR010
中文翻译 品牌: INFINEON |
AVALANCHE AND dv/dt RATED 雪崩和dv / dt评分 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
 |
 |
IRFR010
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | ||
 |
IRFR010
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
|
IRFR010, SiHFR010
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
|
IRFR010-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
|
 |
IRFR010PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
|||
|
IRFR010PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
||||
|
 |
IRFR010TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | 脉冲 晶体管 | ||
|
 |
IRFR010TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
暂无描述 | 晶体 晶体管 脉冲 | ||
|
IRFR010TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
|
 |
IRFR010TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 8.2 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, FET General Purpose Power | 晶体 晶体管 脉冲 | ||
|
IRFR010TRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | 脉冲 晶体管 | |||
|
IRFR012
中文翻译 品牌: INFINEON |
AVALANCHE AND dv/dt RATED 雪崩和dv / dt评分 |
局域网 | |||
|
IRFR012-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | ||||
|
IRFR012TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | 脉冲 晶体管 | |||
|
IRFR014
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) 功率MOSFET （ VDSS = 60 V ， RDS（ON） = 0.20欧姆，ID = 7.7A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
|
 |
IRFR014
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
|
IRFR014
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
|
IRFR014
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
|
IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
|
IRFR014-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
 |
IRFR014A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
ADVANCED POWER MOSFET 先进的功率MOSFET |
||||
|
 |
IRFR014PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
|
IRFR014PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
|
IRFR014PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
|
 |
IRFR014TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
|
IRFR014TR
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
|
 |
IRFR014TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
|||
|
IRFR014TRL
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |