| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR010
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | |||
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IRFR010
中文翻译 品牌: INFINEON |
AVALANCHE AND dv/dt RATED 雪崩和dv / dt评分 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFR010
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | ||
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IRFR010-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR010TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR010TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFR010TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 8.2 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, FET General Purpose Power | 晶体 晶体管 脉冲 | ||
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IRFR014
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) 功率MOSFET （ VDSS = 60 V ， RDS（ON） = 0.20欧姆，ID = 7.7A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR014PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR014TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014TRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR015-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR020
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR020PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR020TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | ||
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IRFR020TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:D-PAK; | |||
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IRFR020TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | |||
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IRFR020TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR020TRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | |||
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IRFR024ATF
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3/2 | 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR024N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A) 功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.075ohm ，ID = 17A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR024NTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Ultra Low On-Resistance 超低导通电阻 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR024NTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |