型号起始:IRFR0* (88) IRFR01* (38) IRFR02* (48) IRFR03* (2)
所属品牌:不限 VISHAY(32) INFINEON(23) KERSEMI(17) SAMSUNG(7) ETC(6) FAIRCHILD(1) FREESCALE(1) UMW(1)
功能分类:不限 晶体(39) 晶体管(48) 功率场效应晶体管(16) 开关(30) 脉冲(43) 局域网(10)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
IRFR010
中文翻译 品牌: SAMSUNG
N-CHANNEL POWER MOSFET
N沟道功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲
IRFR010
中文翻译 品牌: INFINEON
AVALANCHE AND dv/dt RATED
雪崩和dv / dt评分
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网
IRFR010 EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 脉冲
IRFR010-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 开关 脉冲 晶体管
IRFR010TR
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA 脉冲 晶体管
IRFR010TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网
IRFR010TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
TRANSISTOR 8.2 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, FET General Purpose Power 晶体 晶体管 脉冲
IRFR014
中文翻译 品牌: INFINEON
Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
功率MOSFET ( VDSS = 60 V , RDS(ON) = 0.20欧姆,ID = 7.7A )
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFR014 EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFR014
中文翻译 品牌: SAMSUNG
N-CHANNEL POWER MOSFET
N沟道功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFR014-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 开关 脉冲 晶体管
IRFR014PBF EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFR014PBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFR014TR
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFR014TRL
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
IRFR014TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFR014TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFR014TRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFR015-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 开关 脉冲 晶体管
IRFR020
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
IRFR020PBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
IRFR020TR
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 脉冲
IRFR020TRL
中文翻译 品牌: VISHAY
元器件封装:D-PAK;
IRFR020TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3
IRFR020TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
IRFR020TRR
中文翻译 品牌: VISHAY
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3
IRFR024ATF
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3/2 脉冲 晶体管
IRFR024N
中文翻译 品牌: INFINEON
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.075ohm ,ID = 17A )
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFR024NTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Ultra Low On-Resistance
超低导通电阻
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFR024NTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET® Power MOSFET
HEXFET®功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
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