型号起始：	IRFR0* (88) IRFR01* (38) IRFR02* (48) IRFR03* (2)
所属品牌：	不限 VISHAY(32) INFINEON(23) KERSEMI(17) SAMSUNG(7) ETC(6) FAIRCHILD(1) FREESCALE(1) UMW(1)
功能分类：	不限晶体(39) 晶体管(48) 功率场效应晶体管(16) 开关(30) 脉冲(43) 局域网(10)

IRFR0 - 型号起始 - 晶体管; 总记录数：58

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRFR010 中文翻译品牌: SAMSUNG	N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
		IRFR010 中文翻译品牌: INFINEON	AVALANCHE AND dv/dt RATED 雪崩和dv / dt评分	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
		IRFR010 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管脉冲
		IRFR010 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管脉冲
		IRFR010-T1 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3	开关脉冲晶体管
		IRFR010TR 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA	脉冲晶体管
		IRFR010TRL 中文翻译品牌: VISHAY	暂无描述	晶体晶体管脉冲
		IRFR010TRLPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
		IRFR010TRLPBF 中文翻译品牌: VISHAY	TRANSISTOR 8.2 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, FET General Purpose Power	晶体晶体管脉冲
		IRFR010TRR 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA	脉冲晶体管
		IRFR012TR 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA	脉冲晶体管
		IRFR014 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) 功率MOSFET （ VDSS = 60 V ， RDS（ON） = 0.20欧姆，ID = 7.7A ）	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR014 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR014 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲
		IRFR014 中文翻译品牌: SAMSUNG	N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR014-T1 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3	开关脉冲晶体管
		IRFR014PBF EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR014PBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR014PBF 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲
		IRFR014TR 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR014TR 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲
		IRFR014TRL 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFR014TRLPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR014TRLPBF 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲
		IRFR014TRPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR014TRPBF 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲
		IRFR014TRRPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR015 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 6.7A I(D) \| TO-252AA 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 60V V（ BR ） DSS \| 6.7AI （D ） \| TO- 252AA\n	晶体晶体管开关脉冲
		IRFR015-T1 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3	开关脉冲晶体管
		IRFR020 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET

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